公告日期：2025-04-25

深圳市龙图光罩股份有限公司

2025 年度“提质增效重回报”行动方案

深圳市龙图光罩股份有限公司（以下简称“公司”）认为提高上市公司质量，增强投资者回报，提升投资者的获得感，是上市公司发展的应有之义，是上市公司对投资者的应尽之责。为践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心、对公司价值的认可和切实履行社会责任，公司特制定 2025 年度“提质增效重回报”行动方案，以进一步提升公司经营效率，强化市场竞争力，保障投资者权益，稳定股价，树立良好的资本市场形象。主要措施如下：

一、聚焦经营主业，提升核心竞争力

公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售，是具备关键技术攻关能力，拥有自主知识产权的独立第三方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内特色工艺半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品迭代，量产的半导体掩模版对应下游半导体产品的工艺节点覆盖 130nm，更高制程节点的第三代掩模版 PSM 产品已研发试制成功并送往客户验证。

公司掩模版产品广泛应用于功率半导体、MEMS 传感器、IC 封装、模拟 IC
等特色工艺半导体领域，终端应用涵盖新能源、光伏发电、汽车电子、工业控制、无线通信、物联网、消费电子等场景。公司于 2022 年 8 月设立珠海市龙图光罩科技有限公司（以下简称“子公司”或“珠海公司”），紧随国家半导体行业发展战略，围绕高端半导体芯片掩模版领域，持续加大研发投入，逐步实现 90nm、65nm 以及更高节点掩模版的量产与国产化配套，深耕特色工艺，突破高端制程，立志成为国际一流的半导体光罩企业。

2025 年，公司将从项目投产、技术升级、降本增效、人才培养、客户服务等多维度发力实现高质量发展，力争在增加公司营业收入规模的同时，继续提升公司的技术实力，扩大覆盖的制程节点和客户范围，并保持较为稳定的盈利能力，给投资者带来稳定、可预期的回报，主要措施如下：

1、紧抓项目投产，拓宽应用领域

公司目前量产产品为 130nm 及以上制程节点半导体掩模版，产品主要应用于功率半导体、MEMS 传感器、IC 封装等半导体领域。2025 年，公司将完成珠海募投项目的建设投产，通过与现有客户及潜在客户的紧密合作，完成第三代光罩产品的客户验证、小批量试产、批量供货，进一步拓宽产品覆盖的制程节点，增加营业收入规模，提升公司的市场竞争力。

2、加快技术升级，优化产品结构

公司对第三代半导体掩模版技术的全流程进行了充分的技术研发和工艺调试，包括版图数据处理、OPC 补偿、电子束光刻、相移掩模技术、干法刻蚀、缺陷检测及修补等。2025 年，公司将根据市场发展趋势、下游客户需求以及行业动态合理规划，在现有产品技术和工艺的基础上，进一步加大技术开发和创新。公司将着重提升研发能力，持续增加技术研发的投入，从产品的材料、工艺、品质以及生产管理等方面持续创新，通过技术升级优化产品结构和产能配置。

2025 年，公司将持续增大研发深度，拓宽研发广度，公司重点投入的研发项目与预计取得的成果如下：

序号 项目名称 预计目标

1 基于电子束光刻技术的掩模版 提高产品最小分辨率，及 CD 精度

工艺开发项目

2 基于ICP技术的掩模版干法刻蚀 实现 CDU 与 etch bias 的大幅度优化，改善遮光层
工艺开发 profile 性能

制程精度检测精准度与及时性 改善测量系统的性能和适用范围，提升制造过程
3 提升项目 中精度检测的效率与工艺改善及时性

4 应用于半导体掩模版 Contact 层 满足不同形式 Contact 层的兼容检测，提升检测的
的 AOI 检查优化项目 通用性

湿法工艺侧壁角优化技术研发 减小湿法刻蚀 bias，改善线边粗糙度，提升产品刻
5 项目 蚀工艺的精度和制程能力

6 特色工艺用掩模版 local CDU 的 实 现 产 品 Edge Roughness<5nm 、 CD
改善优化项目 Linearity<10nm

7 应用于 CMOS 图像传感器的掩 开发应用于 CMOS 图像传感器的掩模版产品

模版项目研发

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