存储芯片领域的电镀液和光刻胶需求量随着HBM、3D NAND等存储技术迭代与产能扩张持续攀升。公司相关产品成熟，产品已适配国产存储芯片制造全流程，在目前国产化加速背景下，公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证，预计验证测试周期相对较短。存储芯片产能扩张或将拉动材料需求量，尤其在HBM、3D NAND等先进存储技术领域，公司凭借“电镀+光刻”双工艺协同，有望持续受益于国产替代趋势。