公告日期：2025-08-30

苏州锴威特半导体股份有限公司

2025 年度“提质增效重回报”行动方案的半年度评估报告
苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）为深入贯彻国务院《关于进一步提高上市公司质量的意见》的要求，积极响应上海证券交易所《关于开展科创板上市公司“提质增效重回报”专项行动的倡议》，秉持“以投资者为本”的发展理念，切实履行上市公司责任担当，制定了《2025 年度“提质增效重回报”
行动方案》，具体内容详见公司于 2025 年 4 月 9 日披露于上海证券交易所网站
（www.sse.com.cn）的《苏州锴威特半导体股份有限公司 2025 年度“提质增效重回报”行动方案》。结合上半年实际经营情况，现将半年度评估情况报告如下：
一、聚焦主营业务：核心竞争力持续强化，市场拓展初见成效

（一）主业布局深化，产品矩阵不断完善

公司围绕“功率器件+功率 IC”为核心的双轮驱动战略，坚持“赋能、保质、控本、增效”的经营策略，持续不断丰富自身产品系列，已形成了集成快恢复平面 MOSFET（FRMOS）、沟槽型 MOSFET、SJ MOSFET、SiC MOSFET、功率IC 等特色产品系列，实现对各类细分功率器件的全面覆盖。

PWM 控制 IC 方面：公司持续丰富产品线的系列产品，完成了反激、正激、
半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，其中移相全桥控制 IC 完成 AEC-Q100 车规级认证，产品已通过部分终端客户验证，同时针对工业电源领
域，开展研发集成 SiC MOSFET 的专用电源管理 IC；公司加大 Buck、Boost 等
非隔离拓扑的研发工作，推出了输入电压高达 100V 以上同步 Buck 控制器、同
步 Boost 控制器等新品系列，同时展开 1-8A 同步 buck 转换器的研发。

栅极驱动 IC 方面：公司持续丰富产品线的系列产品，推出针对电动工具领
域专用的 65V 三相半桥驱动 IC 和针对工业伺服、慢速车市场的 250V 三相半桥
驱动 IC 产品，同时展开 SiC MOSFET 专用的驱动 IC 产品研发。公司相继推出
理想二极管控制 IC、浪涌抑制控制 IC 和高边开关控制 IC 三个产品子系列，其
中理想二极管控制 IC 将耐压提升至+/-150V，为目前国内外耐压等级最高的产
品，可以更好的满足 72V、96V 等电池系统的应用，浪涌抑制控制 IC 已完成多家客户端的验证，逐步进入量产阶段，高边开关控制 IC 推出两颗耐压 650V 的
产品；公司同时结合器件和 IC 的自身优势，展开研发 100V 和 150V 的理想二极
管模块。

功率MOSFET方面：报告期内公司开发完善了沟槽MOSFET及 SGT MOSFET的工艺平台优化和产品布局，开发了 40V、60V、80V、100V SGT 工艺平台并完
成了 12 寸晶圆产线的工艺开发。SiC MOSFET 方面：公司加大 SiC MOSFET 加
工的产能布局及工艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了 750V、900V、1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET 的生产工艺平台，并进行了优化与升级，其中 1200V SiC MOSFET 工艺平台已成功进入中试阶段，新推
出 2600V 和 3300V SiC MOSFET 产品，目前产品进入小批验证阶段。

（二）市场开拓精准落地，应用场景持续突破

上半年，公司以应用牵引技术迭代、围绕应用布局产品为核心，推动市场拓展精准落地，聚焦 BLDC 电机驱动、工业及车用电源、新能源及智能电网应用、高可靠用电源及电机驱动应用领域，依托“功率器件+功率 IC”协同优势，为客户提供整套芯片解决方案，在助力客户提升产品效能、降低成本的同时，推动业务全面铺开，为业绩增长奠定基础。

在 BLDC 电机驱动领域，电机驱动 IPM 产品线成功打入市场，搭载公司产
品的 BLDC 通过大洋电机的认证并进入美的、格力、海尔等头部终端客户；集成快恢复平面 MOSFET（FRMOS）及 SiC MOSFET 凭借高可靠性优势，持续获芯片设计公司选用，市场份额稳步提升。

工业及通讯电源领域，公司实现关键技术突破，将高可靠领域功率 IC 技术成功转化至工控应用，研发的功率因数校正 PFC、大功率 LLC 拓扑谐振控制 IC等多款产品进入全面试产，彰显技术转化能力与市场适配性；新能源及智能电网
领域，BMS 用 SGT MOSFET、控制 IC 已导入市场，智能电表用驱动 IC 及超高
压 MOSFET 进入客户认证与小批量试产，工业电源用 SiC MOSFET 完成系列化
开发，为抢占未来市场筑牢根基。
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