上证报中国证券网讯 4月9日晚，锴威特披露了2024年年报。2024年，锴威特净利润下滑，业绩承压，主要原因系消费类市场竞争激烈，公司产品价格承压；高可靠领域下游需求不足，成本诉求增加，导致销售规模有所下降。同时，公司为强化产品竞争力，坚持创新驱动，在研发人员引进、产品研发等方面持续加大研发投入；为持续开拓市场和销售渠道，加大营销队伍建设、市场推广和品牌建设等市场营销资源投入，积极应对市场变化，导致经营性费用增加。整体来看，公司期间费用增加对净利润造成了阶段性影响。然而，锴威特表示，从长期来看，这些投入将有助于巩固长期发展基础，增强应对外部环境变化的灵活性，为未来的高质量发展奠定坚实基础。通过持续强化产品竞争力、优化市场布局和提升品牌影响力，进一步推动高质量可持续发展，提升整体盈利能力。

　　锴威特主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。报告期内，锴威特推进产品研发及迭代升级，强化产品竞争力，全年研发费用5866.02万元，同比增长62.85%。PWM控制IC方面，持续丰富产品线，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，推出输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品。为提高电源系统效率，推出可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动IC，工作频率可高达1MHz，工作电压可达300V。功率驱动IC方面，推出80V 3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，进一步提升系统的安全及可靠性；另外，还推出180V GaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上。在功率MOSFET方面，公司开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局，开发了40V、60V、80V、100V SGT工艺平台并完成12寸晶圆产线的工艺开发。SiC MOSFET方面，公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，与国内晶圆代工厂合作开发1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300VSiC MOSFET产品，目前进入小批验证阶段。

　　同时，公司加大市场开拓力度，报告期内，新组建市场部，通过展会、客户需求挖掘、客户口碑推广、有针对性地联系客户等多种渠道进行市场推广，加强代表性应用案例的宣传力度，根据客户需求调整研发、采购及生产布局。（宁晖）