锴威特(688693)4月8日晚间发布2024年年报，报告期内，公司实现营业总收入1.3亿元。实现归属于母公司所有者的净利润为-9718.93万元。公司坚持创新驱动，加大技术研发及人才团队投入，其间费用的增加对净利润造成了阶段性影响，但技术储备及销售开拓的逆势布局为未来的高质量发展奠定基础。

　　受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，锴威特所处功率半导体行业下游终端市场整体维持温和复苏格局。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，不断巩固和提升公司产品技术领先和创新优势，在研发人员引进、产品研发等方面持续加大研发投入，同时为持续开拓市场和销售渠道，加大营销队伍建设、市场推广和品牌建设等市场营销资源投入，积极应对市场变化。整体来看，期间费用的增加对净利润造成了阶段性影响。

　　2024年，宏观经济增长放缓，在消费类市场，由于市场竞争激烈，公司产品价格承压；在高可靠领域，由于下游需求不足，成本诉求增加，导致销售规模有所下降。

　　报告期内，公司经历了上市以来的首次亏损，面对复杂多变的内外部形势，坚持以“强基、赋能、保质、控本、增效”为工作主线，凝心聚力，攻坚克难，沉着应变，综合施策。公司为实现逆势布局，全面提升设计研发、供应链保障、封装测试、应用测试、质量管控等综合能力，积极应对各种风险挑战，坚持创新驱动，不断巩固和提升公司产品技术领先和创新优势，在研发投入、市场开拓、供应链管理、产品质量管理、人才建设等多方面加大资源投入。

　　然而，从长期来看，锴威特表示，此举有利于巩固公司的长期发展基础，增强应对外部环境变化的灵活性，为未来的高质量发展奠定了坚实基础，努力推动公司高质量可持续发展，提升公司未来的整体盈利能力。

　　2024年度，报告期内研发费用为5866.02万元，同比增长62.85%。公司始终重视研发创新能力建设，持续加大研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，强化自主研发产品竞争力，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。

　　报告期内，公司丰富PWM控制IC和栅极驱动IC的产品矩阵，并建立了非隔离DC-DC产品谱系、IPM功率模块产品谱系，新增高压模拟开关产品系列；功率器件类产品立项45项，新增及迭代功率器件产品25项，完成第3代SiC MOSFET产品平台的开发、新建SK SiC MOS（集成SiC SBD）产品平台。

　　锴威特介绍，国家设立了2030年前碳排放达峰，2060年前碳中和的“双碳”战略目标，未来制造业企业将进一步提升能源利用效率、减少碳排放，SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率，其应用前景广阔。

　　在碳化硅SiC MOSFET方面，公司2024年加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200VSiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300V SiC MOSFET产品，目前产品进入小批验证阶段。

　　2024年公司新获授权专利25项（其中发明专利23项、实用新型专利2项），集成电路布图设计专有权23项。截至去年末，公司累计共已获授权专利113项（其中发明专利70项、实用新型专利43项），集成电路布图设计专有权99项。

　　与此同时，报告期内，公司新组建市场部，负责洞察市场变化、市场开拓和品牌策略，通过展会、客户需求挖掘、客户口碑推广、有针对性地联系客户等多种渠道进行市场推广，加强代表性应用案例的宣传力度，扩大公司品牌的知名度与美誉度。及时获取客户的需求变化信息，调整研发、采购及生产布局，从而满足客户的差异化需求，提升自身的市场响应能力。

　　此外，公司秉持“人才是第一资源”的理念，一方面，大力提升现有人才队伍整体素质，公司全年新增37人，同比增加24.18%，其中不乏行业内的资深专家和优秀应届毕业生，为公司注入了新鲜血液，充实了研发、营销、管理等各领域的人才储备，公司研发人员人数从年初的65人增至年末的82人。针对各岗位员工不同的业务需求，公司不断探索组织内部培训课程，开展特色专项培训，为长远发展提供了坚实的人才支撑，满足人才学习发展的需求。