公告日期：2025-04-09

苏州锴威特半导体股份有限公司

2025 年度“提质增效重回报”行动方案

为深入贯彻国务院《关于进一步提高上市公司质量的意见》的要求，积极响应上海证券交易所《关于开展科创板上市公司“提质增效重回报”专项行动的倡议》，秉持“以投资者为本”的发展理念，切实履行上市公司责任担当，苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）扎实推进 2024 年度“提质增效重回报”行动方案，在优化经营管理、完善治理结构、积极实施股东回报政策等方面取得了成效。

为延续 2024 年度行动方案之成果，公司于 2025 年 4 月 7 日召开了第二届董
事会第十九次会议，审议通过了《关于 2025 年度“提质增效重回报”行动方案的议案》。现将 2024 年度“提质增效重回报”行动落实情况及 2025 年度“提质增效重回报”行动方案报告如下：

一、聚焦主营业务，夯实发展基础

（一）强化主业核心竞争力

公司深耕于功率半导体的设计、研发与销售领域，同时提供全面的技术服务支持。自创立伊始，便确立了以“功率器件+功率 IC”为核心的双轮驱动战略。针对当时国内平面 MOSFET 可靠性不足的问题，决定以平面 MOSFET 技术路线作为主要研发方向，同时布局沟槽型 MOSFET 和超结 MOSFET，集中优势研发力量进行产品攻关，推出的平面 MOSFET 取得了市场高度认可。此外，公司结合自身对行业需求的洞察和理解，不断丰富自身产品系列，已形成了 FRMOS、
沟槽型 MOSFET、SJ MOSFET、SiC 功率器件、功率 IC 等特色产品系列。

产品阵容方面，公司拥有包括功率 MOSFET、功率 IC 在内的 800 余款产品。
其中，平面 MOSFET 产品覆盖 40V 至 1700V 的电压范围，构建了包括低压、中
压、高压在内的全系列功率 MOSFET 产品线，规格丰富，拥有近 500 款不同规
格的产品。在第三代半导体功率器件领域，公司已推出 650V 至 3300V 的 SiC
MOSFET 产品系列。在功率 IC 领域，公司基于晶圆代工厂的 0.5um 600V SOI

BCD 和 0.18um 40V BCD 工艺，自主搭建了设计平台，并与晶圆代工厂深度合
作，优化产品性能。此外，公司还提供针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块的各功率段芯片解决方案。

2025 年，公司将进一步实现对各类细分功率器件的全面覆盖，并推动功率IC 和第三代半导体功率器件的产品系列化发展。公司致力于成为提供一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力推动功率半导体国产化替代进程，加快我国在高可靠性领域基础元器件自主可控的步伐。

（二）加大研发投入、推动技术创新

2024 年度，公司以客户实际需求和行业发展趋势为研发导向，坚持自主创新，强化技术研发的战略规划与管理，在巩固现有产品优势的基础上，不断强化自主研发产品竞争力和加快新产品的市场应用进度，优化产品结构，稳步推进产品迭代升级。

PWM 控制 IC 方面：公司持续丰富产品线，完成了反激、正激、半桥、推
挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，推出了输入电压高达 100V 以上同步 Buck 控制器、同步 Boost 控制器等新品。为提高电源系统效率，推出了可支持反激、QR、LLC 等拓扑的同步整流驱动 IC，工作频率可高达 1MHz，工作电压可达 300V。

功率驱动 IC 方面：公司推出 80V 3A 集成 MOSFET 的单芯片 H 桥驱动芯片，
同时可支持 100%占空比工作中，进一步提升系统的安全及可靠性；公司推出180V GaN 专用半桥驱动芯片，工作频率高达 1MHz 以上。

在功率 MOSFET 方面，报告期内公司开发完善了沟槽 MOSFET 及高压超结
的工艺平台优化和产品布局，开发了 40V、60V、80V、100V SGT 工艺平台并完成了 12 寸晶圆产线的工艺开发。

SiC MOSFET 方面：公司加大 SiC MOSFET 加工的产能布局及工艺平台的
开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了 1200V、1700V、2600V、3300V SiC
MOSFET 的生产工艺平台，其中 1200V SiC MOSFET 工艺平台已成功进入中试
阶段，新推出 2600V 和 3300V SiC MOSFET 产品，目前产品进入小批验证阶段。
在知识产权方面，截至 2024 年 12 月 31 日，公司累计共已获授权专利 113
项(其中发明专利 70 项、实用新型专利 43 项)，集……
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