$精智达(SH688627)$ 、$中科飞测(SH688361)$ 、$京仪装备(SH688652)$
一、IPO核心进程与估值募资
1. 上市节奏:长鑫科技2025年7月完成A股IPO辅导备案,10月进入验收阶段,保荐机构为中金公司、中信建投,计划2025年底至2026年初提交申请,最快2026年一季度登陆科创板。
2. 募资与估值:拟募资200-400亿元,目标估值最高超3000亿元;2024年3月投前估值达1399.82亿元,获大基金二期、安徽投控等国资及阿里、小米等产业资本加持。
3. 股权与管理:国资为第一大股东,核心技术团队持股绑定,形成“国资+产业+团队”股权结构;团队多来自三星、美光等巨头,由兆易创新创始人朱一明掌舵,2017年联合合肥产投启动12英寸晶圆项目,奠定发展基础。
二、产能规划:激进扩产+技术迭代,锚定超级周期
1. 产能增长路径:2019年投产初期月产能12万片,2024年爬至17万片,以2019年产能为基数,2026年实现15倍增长。2025年月产能冲刺30万片,2026年维持该规模,冲击全球DRAM产能占比15.6%。一期月产能15万片,良率超90%,利用率95%以上;二期2026年三季度满产。根据Counterpoint Research数据,2025年三季度长鑫全球DRAM出货量份额已上升至8%,产能扩张成效显著。
2. 产品结构升级:2026年底DDR4产能缩至月产1万片,90%产能切换至DDR5/LPDDR5X。其中8000Mbps DDR5芯片及七大模组产品已正式发布,覆盖服务器、消费电子、移动端全场景,LPDDR5X颗粒速率达10667Mbps且功耗降低30%,已导入小米14 Ultra等旗舰机型。2025年底交付HBM3样品,2026年量产,2027年推进HBM3E研发;同期完成HBM3封装测试产线调试,实现“制造+封测”一体化。2026年上半年完成1nm制程验证,三季度量产,相较19nm性能提升20%、功耗降15%、成本减25%,同时通过SAQP多重曝光技术实现无EUV路线的先进制程突破,规避技术封锁风险。
3. 供应链支撑:检测设备领域构建国产核心供应体系,主力合作精智达、中科飞测;其中精智达作为战略合作伙伴,老化修复设备供货份额超50%,2025年9月拿下3.2亿元大额订单,其FT测试机已进入国内第一梯队,2025年目标在长鑫整体测试机份额提升至30%,双方还通过本地量产线建设强化协同效应。制造设备引入北方华创、中微公司等国产龙头,北方华创刻蚀机在长鑫市占率超50%,中微公司TSV深孔刻蚀设备支撑HBM堆叠技术研发;材料端与雅克科技、安集科技等双料供应商深度合作,高纯度氟化氢国产化率达60%,关键材料国产化率持续提升。通过提前锁单、联合研发破解高端光刻机交付瓶颈,设备整体国产化率已达35%,且零部件实现百分百非美化。
4. 募资投向:核心用于先进DRAM产能扩建、HBM等高阶产品研发,契合存储扩产周期下的设备与技术升级需求。
三、客户基本面:聚焦头部深耕,国产替代驱动订单
1. 终端客户覆盖:消费电子供货小米、OPPO等手机厂商,LPDDR5X产品已导入旗舰机型;通过兆易创新切入海信、研华等TV及工业领域;汽车电子适配特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等车规级需求,2026年车载DRAM市占率目标15%;服务器领域与浪潮、曙光合作,MRDIMM模组支持HBM3过渡方案,同时携手阿里深化IoT与服务器订单协同,信创市场2025年相关订单预计超50亿元。
2. 核心生态合作:兆易创新持股1.88%,DRAM产品由长鑫独家代工,2025年关联交易预计11.61亿元,双方还联合成立50亿元存储产业基金支持产业链发展;深科技承接超50%委外封测业务,覆盖17nm及以下制程,其孙公司沛顿科技为长鑫核心封测伙伴。
3. 客户优势:承接美光在华市场份额,受益于海外厂商产能切换带来的中端市场缺口,与核心客户签订2-3年长单,订单占比超60%;前五大客户营收占比45%,结构合理。正推进三星、戴尔认证,预计2026年底小批量供货,同时已突破晋华、通富微电等产业链优质客户。
四、业绩表现:量利齐升,增长动力强劲
1. 历史业绩:2023年扭亏为盈,净利润8亿元;2024年营收420亿元、净利润25亿元,研发投入占比超25%,新增专利300+项,累计申请核心专利超2000项。2023-2024年毛利率从22%升至30%,净利率从6.7%提至13.9%,盈利能力持续改善。
2. 2025年实绩与预测:前三季度营收超300亿元,Q3单季营收破120亿元、净利润同比增43%,毛利率升至32%。机构预测全年营收670.42亿元、净利润46.58亿元,受益于存储超级周期、AI算力需求爆发及头部客户采购量增80%,半导体设备业务订单同比增长预期达100%。
3. 2026年预测:营收预计800亿元、净利润75-80亿元,DDR5、HBM3、车规级芯片营收占比分别达30%、10%、15%,形成多品类驱动的增长格局。
五、行业地位与核心炒作题材
1. 行业地位:国内少数实现DRAM大规模量产的企业,打破美韩台垄断,与长江存储形成“南长江、北长鑫”格局,分别主攻NAND Flash、DRAM赛道,共同推动国内存储芯片国产化率提升,2025年二者在全球细分市场市占率均已接近或超过8%。
2. 核心题材:科创板高端存储第一股;卡位存储超级周期+AI HBM算力风口,DDR5产品实现“性能持平+成本碾压”突破;承接美光份额,国产替代逻辑明确,供应链自主可控能力持续强化;切入特斯拉、比亚迪等头部车企供应链,享汽车电子高毛利红利;技术储备深厚,3D DRAM与GAA架构研发走在行业前列。
六、风险提示
面临DRAM行业周期波动、先进制程研发迭代不及预期、高端设备供应链稳定性、国际客户认证进度滞后及技术封锁等风险。