芯动联科：
您好，该专利是一种用于在圆片级密封的MEMS芯片腔内形成垂直方向双向缓冲止挡结构，属于芯片设计和制造的技术领域，可以有效避免MEMS可动结构在受到外力冲击时超过位移极限，保障MEMS芯片的工作可靠性。公司始终重视技术创新和知识产权布局。谢谢您的关注。