受益AI需求拉动，25Q4存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。根据Trendforce预测，预计2025Q4整体一般型DRAM价格环比增长8-13%。HDD供给短缺与过长交期，使CSP将储存需求快速转向QLCeSSD，短期内急单大量涌入，造成市场明显波动，预计25Q4NANDFlash各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。 需求侧：“以存代算”带来存储新需求。AI时代，内容由文本向图像、歌曲、视频和多语言视频跃迁，数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora2等视频生成应用进一步加速增长。AI使得海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，推动存储从HDD转向SSD/DRAM。HDD供给受限、交期的延长，也加速了SSD替代HDD。此外，推理端“以存代算”成为核心：Prompt经Prefill转化为结构化的KVCache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存储体系向HBM/DRAM CXL SSD的分层演进，实现更高与能效优化。 供给侧：CBA HBF工艺创新打破内存墙制约。为打破“内存墙”对算力发展的制约，CBA HBF应运而生，成为存储IDM未来发展的核心方向。CBA技术显著提升了单位面积的存储密度，同时优化了内部互连路径，已在DRAM、NAND下一代技术升级中全面应用。同时国产龙头厂商（合肥长鑫、长江存储）也在加紧追赶脚步。HBF则是借鉴了HBM的封装设计，但用闪存替换了部分DRAM堆栈。相比HBM，HBF具备8-16倍的存储容量和非易失性存储的优势，能够显著缓解AI数据中心在热管理和能源成本上的压力。

受益存储上行周期Capex提升。受益于AI需求的拉动、存储涨价的持续，存储行业或持续面临供需偏紧状态，原厂有望提高资本开支以满足持续增长的存储需求，半导体设备有望受益。根据SEMI预测，2025/2026年全球NAND设备市场规模有望达到137/150亿美元，同比增长42.5%/9.7%。4F2DRAM、3DNAND等存储新架构的创新带来刻蚀、沉积、键合设备新的发展机遇。