公告日期：2025-04-26

苏州东微半导体股份有限公司

关于 2024 年“提质增效重回报”行动方案评估报告

暨 2025 年行动方案

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“公司”）为贯彻落实关于开展科创板上市公司“提质增效重回报”专项行动的倡议，践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心、对
公司价值的认可和切实履行社会责任，公司分别于 2024 年 4 月 27 日、2024 年 8
月 30 日披露了《苏州东微半导体股份有限公司 2024 年“提质增效重回报”行动方案》（以下简称“行动方案”）《苏州东微半导体股份有限公司 2024 年“提质增效重回报”行动方案的半年度评估报告》。为进一步落实有关工作安排，切实履行上市公司的责任和义务，维护全体股东利益，共同促进资本市场平稳健康发展，公司根据行动方案内容，积极开展和落实各项工作，现将 2024 年的主要工作成果报告如下，并制定 2025 年度行动方案。具体情况如下：

一、聚焦公司主营业务，夯实高质量发展根基

2024 年，全球经济形势复杂多变，面对全球经济增速放缓、市场需求相对供给不足、价格整体偏弱等多重外部挑战，公司始终坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线。2024 年是半导体行业展现复苏曙光的一年，随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展，对逻辑芯片和存储芯片的需求呈现出爆发式增长，而在其他一些传统或特定应用领域的半导体产品，由于技术更新换代较慢、市场竞争激烈、需求饱和等原因，出现了增长乏力甚至负增长的情况，整体来看，各细分领域复苏进度并不一致。在此背景下，公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产能供给，持续进行前沿技术的合作。

公司深耕功率半导体的设计、研发、销售领域，产品主要包括：高压超级结
MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、TGBT、SiC MOSFET（含 Si2C MOSFET） 产品线
的技术迭代和产品升级。硅基产品线，在充分利用 8 英寸晶圆代工平台制造能力
的基础上，12 英寸晶圆代工平台由产能扩充阶段全面进入到产品升级阶段，主力规格产品的升级基本完成。同时，公司进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体 SiC MOSFET 产品线的实现量产考核基本完成，产品性能持平达到国内外第一梯队水平。

报告期内，公司市场均衡分布在 5G 基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS 电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等工业级与汽车级领域，以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域，减小对单一市场及单一产品的依赖性，始终坚持以技术创新为驱动，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。2024 年度，受细分行业复苏进度、市场竞争等多重因素影响，公司实现营业收入 100,322.00 万元，较上年同期增加 3.12%；实现归属于上市公司股东的净利润 4,023.51 万元，较上年同期减少 71.27%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 231.93 万元，较上年同期减少 98.06%。

2025 年，公司将积极推进主营产品高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、
TGBT、SiC MOSFET（含 Si2C MOSFET）产品线的技术迭代和产品升级，在功率模块及 GaN 器件方面持续进行研发投入并初步进入相关市场，为公司的长远发展打下基础。在巩固现有产品优势的基础上，提升主力产品供货能力，不断强化自主研发产品的竞争力和加快新产品的市场应用进度，优化产品结构。

二、坚持科技创新，增强企业核心竞争力

公司始终将人才队伍和核心技术视为最关键资产。2024 年，公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，硕士研究生及以上学历占研发人数比重超35%，研发投入占当期营业收入 7.44%。报告期内，公司新增知识产权申请项目
15 个，其中发明专利申请数 12 个；新增知识产权授权项目 24 个，其中境内发
明专利 1 个，境外发明专利 22 个。

公司核心技术人员均在功率器件行业耕耘超十年，具备丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行……
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