中宏网讯 第三代半导体产业在全球范围内快速发展，新能源与人工智能的深度融合推动相关产业变革，碳化硅凭借耐高温、高功率、低损耗的核心优势，成为支撑高端制造升级的关键核心材料。天岳先进作为碳化硅衬底行业龙头，受到资本市场高度关注。公司依托全链路技术创新突破国际垄断，聚焦高增长赛道挖掘产业价值，投资价值不断提升。

　　全链路创新构建核心竞争力

　　技术突破与稳定交付能力，共同夯实天岳先进的行业优势与技术壁垒。

　　天岳先进已全面掌握原料提纯、晶体生长、切割抛光全链条核心技术，关键环节实现全链路突破，自主可控水平为竞争奠定基础。目前，公司碳化硅衬底专利持有量位居全球前五，12英寸碳化硅衬底、液相法制备8英寸碳化硅衬底等多项技术为国际首创，具备与全球顶尖企业竞争的技术实力。

　　核心生产设备方面，公司自主设计长晶炉并联合设备厂商定制，摆脱进口依赖，核心参数自主掌控；从原材料到晶体生长、加工、表征的全生产环节技术均实现自主可控，各环节与上下游企业协同优化，保障产业高效推进。研发端，公司突破大尺寸化等行业技术瓶颈，材料性能达到国际领先水平。

　　12英寸技术突破推动碳化硅衬底进入“大尺寸时代”。碳化硅作为第三代半导体核心材料，衬底尺寸与品质直接影响产业链性能上限及成本空间，尺寸越大，单片晶圆芯片产出量越高，降本增效效果越明显。当前，天岳先进已推出12英寸全产品系列，单片晶圆可用面积较8英寸提升约2.25倍，芯片产出量增加2倍以上，边缘损耗大幅减少，产出芯片数量提升近90%，可优化下游芯片性能、成本与可靠性；同时实现全球独有的12英寸N型、P型、半绝缘型全品类量产，良率与缺陷控制指标优于行业水准，为下游高功率、高精度器件研发提供支撑，正推进12英寸碳化硅进一步研发与量产筹备。

　　此外，液相法技术实现革命性突破，依托该技术可制备缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭，已成功产出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，在压缩生产成本的同时，保障产品核心性能稳定。

　　产能布局持续完善，为天岳先进交付能力提供了保障。济南工厂通过技术升级与工艺优化，产能产量稳步提升；上海临港工厂于2024年年中提前达成30万片/年导电型衬底产能规划，当前推进二阶段产能提升，设计产能突破100万片，为满足下游市场需求提供产能支撑。2024年全年，公司的市场占有率已经超过22.8%，位列全球第二。

　　聚焦高增长赛道挖掘市场空间

　　凭借技术实力，天岳先进聚焦新能源与AI光学两大高增长赛道，实现技术与市场需求的适配，推动碳化硅材料拓展多个应用场景。

　　新能源领域中，碳化硅器件加速替代传统硅基器件，成为能效升级的重要支撑。天岳先进8英寸衬底已批量出货，终端客户覆盖全球前十大功率半导体制造商半数以上，终端应用于新能源汽车、光伏储能、特高压输变电等场景。新能源汽车领域，车规级衬底通过国际头部企业验证，支撑碳化硅器件实现耐高温、小体积、强散热特性，适配800V高压平台，助力车辆提升续航、缩短充电时间；在光伏与储能领域，碳化硅器件可将逆变器转换效率提升至99%以上，支持1500V光伏直流系统与2000V以上储能系统，降低线损与能耗，推动储能变流器效率突破98%，保障新能源消纳与电网稳定。

　　AI光学赛道，天岳先进利用碳化硅衬底的高折射率、零缺陷晶体结构，研发出厚度1mm的衍射光波导镜片，支持AR眼镜实现120°超大视场，解决了传统光学器件视场窄、体积大的问题。随着与国际厂商联合研发推进，良率提升与成本下降有望推动AR眼镜从高端市场向大众消费渗透，碳化硅光学衬底或成为核心标配，为天岳先进拓展更广阔的市场空间。

　　从技术突破到应用落地，天岳先进在碳化硅产业领域实现稳步发展。后续，随着12英寸产能扩张与新兴应用渗透，有望进一步推动全球碳化硅产业升级，助力新能源与人工智能产业发展。

　　特别声明：文中提及内容均来源于公开信息，不构成实质性投资建议，据此操作风险自担。