矽加半导体最新推出的碳化硅衬底激光剥离与减薄全自动化产线，将激光加工良率提升至99.5%这一行业新高。这项技术突破的核心在于用激光改质层扫描实现材料预分离，从源头降低切削应力，结合超声波精准剥离改善晶片内部应力分布。整条产线通过AGV与自动化控制系统实现全程自主流转，综合生产效率提升超30%，为8英寸衬底加工提供了明确的技术路径，并已具备12英寸工艺验证能力。

  激光单元20-25分钟的单片加工效率配合80-100μm的材料损耗控制，标志着碳化硅加工从单机作业迈向链式自动化的关键转折。值得注意的是，矽加半导体在衬底制造方面已实现光学级产品总厚度偏差≤1μm的稳定量产能力，其12英寸加工设备也已进入国内头部客户生产线。这些进展正在重塑碳化硅衬底的制造标准。

  与此同时，天岳先进作为碳化硅衬底领域的领军企业，已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关。根据智通财经网报道，该公司目前发布了12英寸导电型、半绝缘型及P型碳化硅衬底全系列产品矩阵，并已取得全球头部客户的多个12英寸产品订单。这一技术突破与英伟达计划在新一代GPU芯片先进封装中采用12英寸碳化硅衬底的行业动向形成呼应。

  华西证券的分析显示，若CoWoS封装将Interposer替换为SiC，按70%替换率和35%复合增长率推演，2030年将需要超230万片12英寸SiC衬底，等效约920万片6英寸产能，远超当前供给水平。这一数据揭示了碳化硅在AI算力基础设施中的潜在需求规模。

  从产业链视角观察，碳化硅材料正在新能源汽车800V高压平台与AI算力散热需求的双轮驱动下加速渗透。天岳先进在8英寸产品量产能力上的领先地位，以及其灵活切换6英寸与8英寸生产的能力，使其在大尺寸化趋势中占据有利位置。该公司已通过车规级IATF16949体系认证，并与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立合作，构建了从材料到器件的全产业链能力。

  随着全球碳化硅市场持续高速增长，大尺寸、低成本、高效率的衬底制造能力已成为产业竞争的关键要素。国内企业从6英寸批量交付到8英寸长晶技术突破，再到12英寸技术攻关的快速演进，正在改变海外长期垄断的格局。在技术迭代与需求扩张的双重驱动下，碳化硅产业链的价值重估似乎才刚刚开始。

  本文内容由多家媒体消息汇总整理而成，感谢您的点赞与关注，您的支持是我持续创作的动力！