近日,行业传出重磅消息,英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底,预计最晚将在2027年导入。这一技术路线的转变,意味着碳化硅的应用正从传统的新能源领域,向更高端的AI算力芯片领域拓展。评价一下此消息
天岳先进:
尊敬的投资者,您好!公司已关注到相关信息。随着英伟达GPU芯片功率不断增大,将众多芯片集成到硅中介层导致了更高的散热设计挑战,而传统热界面材料和热堆叠结构优化空间有限,封装散热遭遇瓶颈。因此英伟达计划用碳化硅替代硅作为中介层材料。采用12英寸碳化硅作为中介层材料,不仅能显著提升散热效率、提高集成密度,还能缩小封装尺寸、降低成本。目前公司已推出12英寸全系列衬底(半绝缘/导电P型/导电N型)。感谢您的关注!
尊敬的投资者,您好!公司已关注到相关信息。随着英伟达GPU芯片功率不断增大,将众多芯片集成到硅中介层导致了更高的散热设计挑战,而传统热界面材料和热堆叠结构优化空间有限,封装散热遭遇瓶颈。因此英伟达计划用碳化硅替代硅作为中介层材料。采用12英寸碳化硅作为中介层材料,不仅能显著提升散热效率、提高集成密度,还能缩小封装尺寸、降低成本。目前公司已推出12英寸全系列衬底(半绝缘/导电P型/导电N型)。感谢您的关注!
(来自 上证e互动)
答复时间 2025-11-20 09:00:00
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