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发表于 2025-04-16 21:10:00 股吧网页版
价格与市场的博弈:碳化硅芯片加速进入抢位赛
来源:21世纪经济报道

  随着碳化硅上游衬底行业持续扩产降价,整个行业面临日益激烈的竞争环境。

  一名碳化硅产业链公司高管对21世纪经济报道记者分析,碳化硅衬底的价格竞争最早主要由海外头部厂商推动,大约自2024年下半年在国内有进一步传导。

  这一方面源于海外大厂在全球范围内积极扩产,但需求量并没有快速填补,导致海外建厂原本就面临产能过量的客观环境;另一方面,全球都在推进更大尺寸碳化硅晶圆商用,这也意味着将有更大规模碳化硅产品将进入市场。二者结合,令整体市场供给较为丰盈。

  目前新能源汽车行业是碳化硅芯片的最大下游市场,其次是风光储能。随着价格下行,也有望推进包括数据中心、AR眼镜等新领域拥抱碳化硅产品。对于厂商来说,寻求更可持续的增量发展空间也是重要命题。

  但不可忽视的是,如此竞争也意味着行业中将面临市场格局变换,新一轮抢位赛正在打响。

  持续增长

  在整体汽车芯片市场面临库存压力的背景下,碳化硅器件作为汽车芯片市场的一部分,仍然显现出逆势增长表现。

  国内碳化硅衬底厂商天岳先进2024年度财报显示,公司在当年实现扭亏。期内实现营业总收入17.68亿元,同比增加41.37%;实现归属于上市公司股东的净利润1.79亿元,上一年则是亏损约4572万元。

  公司方面指出,收入增长主要源于产能利用率逐步提升,产品产销量持续增长,规模效应逐步显现,成本逐步优化,高品质导电型碳化硅衬底产品加速出海。

  芯联集成发布2024年度业绩预告显示,公司是全球少数已实现规模量产的碳化硅芯片及模组供应商之一,2024年碳化硅业务实现收入约10.16亿元。以SiC MOSFET芯片及模组产线组成的第二增长曲线和以高压、大功率BCD工艺为主的模拟IC方向的第三增长曲线快速增长,使得公司营业收入快速上升。

  不过相比之下,天岳先进的收入年增速有所放缓。2023财年公司收入同比增长199.9%至约12.51亿元,增速远高于2024年。同时,天岳先进的碳化硅衬底年产量增速高于收入增速。公告显示,2024年公司碳化硅衬底产量41.02万片,较2023年增长56.56%,产量屡创历史新高。

  从区域市场来看,公司在境外地区的毛利率水平和增速表现领跑,境内相对较低于整体毛利率水平。

  (瀚天天成公布碳化硅外延片价格下降趋势,图源:公司招股书)

  从四个单季度表现来看,天岳先进在第三和第四季度,盈利能力出现一定下滑。这与前一个完整财年的表现有所迥异,2023年度公司还在着力实现扭亏,第三和第四季度就是单季度开始扭亏的时段。

  这侧面与前述碳化硅芯片领域出现价格竞争的趋势相印证。

  CIC灼识咨询执行董事余怡然告诉21世纪经济报道记者,2024年碳化硅(SiC)晶圆市场经历了显著的价格调整,降价幅度达近30%。具体来说,6英寸SiC衬底的价格在2024年中期已经跌至500美元以下,接近中国制造商的生产成本线,而到了第四季度,价格进一步下降至450美元。

  瀚天天成在港股IPO招股书中提到,2024年,6英寸碳化硅外延芯片的价格约为每片人民币7300元,预计到2029年将降至每片人民币4400元,主要原因是碳化硅衬底价格下降。

  对此,天岳先进在港股IPO招股书中表示,2019年至2024年期间,全球碳化硅衬底市场价格有所下降,主要受市场竞争加剧、 技术成熟带来的成本优化以及产能逐步扩张等因素影响。未来,随着碳化硅衬底产品加速迭代以及下游应用快速发展导致需求持续攀升,相同尺寸衬底的价格降幅预计将逐步收窄。

  公司方面指出,未来碳化硅衬底价格将持续下降,主要受两个因素推动:其一,生产技术和工艺路线迭代升级带来单位裸片成本下降;随着碳化硅晶体生长等环节良率提升以及衬底尺寸扩大,各器件单位成本将持续下降。其二是规模效应,随着全球尤其是中国碳化硅衬底头部制造商的产能扩张,头部制造商在成本分摊、生产自动化和工艺优化、供应链采购、技术积累等方面展现出显著的规模效应。

  沙利文大中华区合伙人兼董事总经理陆景也对21世纪经济报道记者分析,经过激烈的市场价格竞争,目前主流的导电型碳化硅衬底单价已经出现企稳现象,市场竞争趋于理性。之后碳化硅衬底的单价虽然还会继续下降,但下降的主要原因是工艺技术更加成熟推动良率提升,并且衬底大尺寸化推动单位成本下降。

  落地加速

  随着碳化硅晶圆持续从小尺寸向大尺寸量产推进,将为市场带来更为丰富的碳化硅器件产品。

  据21世纪经济报道记者了解,目前碳化硅上游厂商主要在推动用6英寸晶圆大规模替代4英寸晶圆,8英寸晶圆技术也在走向成熟量产过程中。

  瀚天天成招股书中提到,以32平方毫米大小的芯片为例,将碳化硅外延芯片由6英寸扩展至8英寸时,芯片面积可增加1.8倍,边缘芯片比例由14%降至7%,裸芯片数量增加90%。

  对此,前述高管对21世纪经济报道记者表示,“从应用市场看,碳化硅器件有80%应用在新能源汽车上,这一市场的主力就是中国。因此无论全球如何扩产,重要销售目的地还是中国,我们认为,在这种竞争环境中,最重要是平衡效率和成本问题。”多名业内高管对记者表达了类似观点。

  “个人认为,国产碳化硅产品在今年下半年会出现新一轮6英寸衬底价格竞争,明年会面临8英寸衬底价格竞争。”前述高管对21世纪经济报道记者分析,经过这两轮竞争后,预计行业整合将基本完成,2027年左右新格局将出现。“面临竞争有两个着眼点:技术和成本竞争力。哪怕只比竞争对手好一些,就更具备竞争力,最终‘剩者为王’。”他指出。

  价格下降的另一面是应用空间也在扩大。在碳化硅行业发展早期,相对积极采用这类产品的终端厂商是特斯拉,背后就源于大量终端公司对碳化硅彼时较高的应用成本有所顾虑,同时对安全性等方面也在观望。

  如今已经有更多应用领域对碳化硅投入高关注度。

  瀚天天成在港股招股书中提到,2024年电动汽车使用的碳化硅功率半导体器件占全球市场的74.4%;其次是充电基础设施领域,其于2024年的市场份额为7.8%;可再生能源及储能系统领域亦呈现增长势头,预计2024年至2029年的年复合增长率分别为28.7%及44.1%。

  对此,陆景对21世纪经济报道记者表示,碳化硅衬底成本持续下降,尤其是单位成本持续下降,会加快碳化硅功率器件对硅基IGBT等功率半导体产品的替代,尤其是在高压领域,例如新能源汽车、数据中心、光伏储能等场景。

  “目前主流的6英寸导电型碳化硅衬底供应较为充足,竞争相对激烈。新增应用场景能够部分消化新增产能,但整体6英寸导电型碳化硅衬底市场竞争仍然会比较激烈。随着下游厂商更加强调产品性价比,8英寸衬底的需求未来仍然强劲,会是市场的主要增长点。”他续称。

  “我们认为,目前碳化硅对硅基功率器件的取代趋势比较明显。除了汽车领域之外,工业控制也在导入这类产品,碳化硅工业级MOSFET正在大量取代硅基MOSFET。”前述高管对记者补充道。

  当然在此环境下,国内碳化硅器件公司仍需加速努力以拥抱这一机会。陆景对记者指出,目前国内头部碳化硅衬底厂商的技术实力比较接近海外厂商,但全球碳化硅功率器件市场仍由海外厂商占据主导地位,国内厂商还存在一定技术和规模差距。“随着国产厂商技术能力提升以及国际贸易政策影响,国内碳化硅器件厂商的市场占比有望持续提升。”

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