中宏网股票4月15日电科创板作为我国资本市场培育新质生产力、实现高水平科技自立自强的关键阵地，自推出近六年来，见证了众多企业的坚韧探索。这里的企业展现出非凡的耐心、信心与决心：一条集成电路生产线投资可达百亿元以上；一款创新药从临床试验到获批上市，平均耗时7.2年；一种新材料的研制，往往要历经数十道工艺、上百个工艺控制点的严格管控。

　　在积极践行“硬卡替”企业使命的征程中，科创板企业推动单点技术突破与产业链自主可控生态建设同频共振，引领集成电路、人工智能、创新药、先进制造等产业迈向高质量发展，为我国经济社会发展与产业链安全筑牢根基。

　　在全球半导体产业迅猛发展的浪潮里，中国企业正以空前的速度与决心，在诸多领域实现突破。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，因其具备耐高温、耐高压、高频高效等特性，正在全球电力电子领域引发一场颠覆性变革。据行业预测，到2030年，全球碳化硅市场规模将突破万亿美元，成为重塑全球能源格局的核心技术之一。

　　天岳先进是我国集成电路行业弯道超车，实现关键战略材料自主可控的代表。公司长期专注碳化硅衬底核心技术自主研发，相关产品最新市占率已跻身全球前三，在碳化硅衬底最前沿领域已全面稳固掌握晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等的全技术链条突破。在上海SEMICON China 2025大会上，天岳先进率先推出全系列12英寸碳化硅衬底产品，引领全球碳化硅行业迈入“12英寸新时代”。

　　历经长期的技术沉淀与持续迭代，科创板公司在半导体材料、设备、芯片设计等多个细分领域已展现出与国际巨头并肩，甚至于“弯道超车”的强大研发实力，具备全面实现国产替代的巨大潜力。

　　以天岳先进为例，2024年度，其产品在美国的销售收入占总收入的比例不到0.1%，美国加征关税对公司业务直接影响非常有限。长期以来，天岳先进始终坚守关键核心技术自主研发的道路，经过十余年技术积累，已成功掌握了涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各个环节的核心技术。不仅如此，天岳先进还通过持续推进供应链本土化以及积极开展国产化替代工作，有效降低并规避了核心原材料面临的技术“卡脖子”风险。

　　业内资深人士分析指出，碳化硅衬底的自主可控，意味着中国在第三代半导体赛道上牢牢掌握了定义未来的主动权。天岳先进实现技术突围，标志着我国在战略性材料领域从“进口替代”阶段稳步迈向“技术输出”的全新发展阶段。

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