一. 驱动逻辑

2月19日，存储巨头三星电子股价再创历史新高；此前有报道称，其正就HBM4定价进行谈判，价格将较上一代HBM3高出至多30%。

韩国KB证券指出，2026年以来，内存短缺程度进一步加剧，主要客户订单满足率仅为60%；AI数据中心客户占据了三星内存出货量的70%。

花旗、晨星、摩根大通等研究机构均预测，存储芯片短缺状况将持续至2027年。

二. 存储分类

存储是电子系统中用于保存、读取数据的硬件载体；按掉电后数据是否保留，分为RAM、ROM两大类。

2.1 RAM（易失性存储）

特点：依赖持续供电，掉电后数据完全丢失；读写速度极快，适配系统临时数据缓存与高速计算。

（1）SRAM（静态随机存储器）：无需周期性刷新、密度低、读写速度极快，主要用于CPU高速缓存。

（2）DRAM （动态随机存储器）：需周期性刷新、密度高、速度中等，主要用于系统主内存。

2.2 ROM（非易失性存储）

特点：断电后数据保留，读写速度较慢，适配数据持久化存储；当前主流为Flash存储器（闪存）。

（1）NAND Flash：密度高，主要用于固态硬盘等大容量场景。

（2）NOR Flash：随机读取速度快，适合代码执行，主要用于存储代码。

三. 两大主流存储芯片

3.1 DRAM（内存颗粒）

DRAM是系统主存的绝对主流，针对不同场景优化带宽、功耗、延迟、体积等参数，主流分类：

（1）DDR SDRAM（标准DDR）：通用型标准，用于台式机、服务器；当前主流DDR5。

（2）LPDDR（移动DDR）：针对移动设备优化、低功耗，用于手机、平板、IoT设备；当前主流LPDDR5。

（3）GDDR（图形DDR）：针对图形渲染优化，用于显卡显存；当前主流GDDR6。

（4）HBM（高带宽内存）：针对高带宽并行计算优化，用于AI训练/推理；当前主流HBM3/HBM3E。

3.2 NAND Flash（闪存颗粒）

NAND Flash是大容量存储的绝对主流，读写性能优异、容量大、成本低；主要用于固态硬盘、嵌入式存储、移动存储等场景。

按存储单元密度，主要分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC五大类（一至五层单元）。

四. 集成化载体：存储模组

存储模组是将存储颗粒（DRAM/NAND Flash）、被动元件、PCB、接口等部件集成在一起的模块化产品，并提供标准化接口，实现即插即用。

（1）DRAM模组（内存条）：系统主存，包括UDIMM（用于台式机、笔电）、RDIMM/LRDIMM（用于服务器）。

（2）固态硬盘（SSD）：容量大、读写速度快，用于台式机、服务器。

（3）嵌入式存储：体积小、功耗低，用于汽车电子、物联网设备、手机、平板。

（4）移动存储：便携可插拔，用于U盘、移动硬盘、 SD卡。

五. 产业链厂商

5.1 存储芯片设计

（1）内存（DRAM）：兆易创新、北京君正、澜起科技。

（2）闪存（NAND/NOR Flash）：东芯股份、普冉股份、聚辰股份。

5.2 存储模组

（1）海外：三星、铠侠、SK海力士、西部数据、金士顿。

（2）国内：江波龙、佰维存储、香农芯创、德明利、协创数据。

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