东芯股份在存储芯片技术创新上,未来有哪些重大突破计划,能进一步巩固行业领先地位?
东芯股份:
尊敬的投资者您好,SLC NAND方面公司先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品已进入风险量产阶段;NOR方面公司基于48nm、55nm制程,持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作;DRAM方面公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计,助力公司产品多样性发展。感谢您对我司的关注。
尊敬的投资者您好,SLC NAND方面公司先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品已进入风险量产阶段;NOR方面公司基于48nm、55nm制程,持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作;DRAM方面公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计,助力公司产品多样性发展。感谢您对我司的关注。
(来自 上证e互动)
答复时间 2025-12-10 17:41:00
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