近日，长光华芯与国防科大组成的半导体激光团队，在双色半导体激光器研究方面取得重要
近日，长光华芯与国防科大组成的半导体激光团队，在双色半导体激光器研究方面取得重要进展。
该团队通过深入的数值研究发现 ：精确调控与温度相关的量子阱增益滤波和半导体微腔滤波效应，有望实现双色增益的灵活调控。在此基础上，团队成功设计出一款 960/1000 nm的高亮度增益芯片，该激光器工作于近衍射极限的基模模式，输出亮度高达约 310 MW/cmsr。
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