10月12日至16日，第二十六届中国国际工业博览会（以下简称“工博会”）在国家会展中心（上海）举行，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）携平台化产品矩阵亮相。
展会期间，中微公司自主研发的PrimoUD-RIE®电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备同时获得本届工博会CIIF大奖和2026“国芯展”创新成果奖。
据悉，PrimoUD-RIE®是基于完全自主知识产权开发的12英寸高端CCP刻蚀机，依托成熟的PrimoHD-RIE®设计架构进行了全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过进一步升级中微公司在2004年首创的“甚高频去耦合反应离子刻蚀D-RIE技术”，采用更低频率、更大功率的射频脉冲电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。
PrimoUD-RIE®引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层，优化边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。同时，PrimoUD-RIE®还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显著提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。
中微公司董事长兼总经理尹志尧在工博会首届“国芯展”高峰论坛上表示，中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，绝不抄袭和复制国外的标配设备，一直坚持技术创新、产品差异化和知识产权保护。目前，中微公司已从单一刻蚀设备厂商稳步成长为综合半导体设备平台企业，累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔、可单台独立操作的双反应台高能等离子体CCP以及低能等离子体ICP（感应耦合等离子体）刻蚀机，还包括24种薄膜设备，以及CMP（化学机械抛光）和先进封装的光学量检测设备等。
截至2026年6月底，中微公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产，服务海内外百余家客户，刻蚀和薄膜设备的加工精度已经达到了原子级水平。
同时，在此次高峰论坛上，中微公司与上海华虹（集团）有限公司（以下简称“华虹集团”）签署战略合作协议，未来中微公司将与华虹集团在设备与制造环节实现更紧密的协同创新，建立长期稳定的战略合作伙伴关系，共同探索互利共赢的产业协同新模式。
