8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）召开，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）在此期间推出六款自主研发的全新高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节。

　　这是中微公司继今年3月发布四款新品后，时隔半年再次高密度推新。该公司相关负责人向《证券日报》记者表示，此举进一步拓宽了高端设备产品矩阵，实现了先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节的全覆盖。

突破极高深宽比刻蚀技术瓶颈

　　随着3DNAND、DRAM等存储芯片向更高堆叠层数迭代，极高深宽比刻蚀技术成为先进存储器件制造的核心瓶颈。中微公司此次推出的PrimoXD-RIE刻蚀机，可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀。

　　中微公司资深副总裁丛海向《证券日报》记者介绍，PrimoXD-RIE依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破。“该设备采用全新自研工艺气体架构，在保障刻蚀工艺性能的同时，有效降低温室气体排放，实现工艺性能与绿色生产的兼顾。设备具备多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统全方位优化刻蚀精度与刻蚀效率，大幅拓宽工艺适配窗口。”

　　在核心硬件设计上，设备采用耐低温、高击穿电压的静电吸盘，并搭载业内首创的4区磁线圈聚焦等离子体分布调节组件及等离子体边缘鞘层主动调节技术，结合耐强腐蚀性气体的专用腔体结构，能够适配极端、高精度的严苛工艺工况。

薄膜沉积设备补齐工艺矩阵

　　在薄膜沉积领域，中微公司同步推出四款全新自研设备。其中，PerformoQuaStar®ON为PECVD系列首款产品，面向3D闪存氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，配有四个反应腔，每腔4个反应台，单系统最多可同时处理16片晶圆。该设备采用第三代D-RID射频系统，具备毫秒级工艺控制能力。

　　同期发布的PerformoQuaStar®GE面向硅基PECVD介质薄膜，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等材料体系，采用4反应台单腔配置，单系统可同时沉积最多12片晶圆。

　　PrefimaUnicoreAM为12英寸ALD金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺设计，采用四反应台配置，搭载毫秒级精度高速气体切换系统。中微公司方面称，该产品有望在全球存储厂商向钼基字线切换的产业趋势中占据先机。

　　PreformaUniflash®SPTi/TiN则为金属硅化物集成系统，集成原位高选择性前清洁、PECVD金属钛及ALD氮化钛三类工艺模块，采用双反应台架构，最多可集成五个双反应台工艺腔（共计十个反应台）。

　　此外，在泛半导体领域，中微公司推出PRISMOPDS8®碳化硅外延设备。该设备基于公司在氮化镓外延MOCVD领域的技术积累，最多可配置四个反应腔，支持四片8英寸外延片同时加工，采用自主知识产权设计的垂直反应器，集成实时温度监测系统与基于模型的高精度温控算法。

平台化战略持续深化

　　公开资料显示，中微公司自2004年成立以来，已开发出54种高端半导体设备，包括26种等离子体刻蚀机和24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和部分量检测设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。2012年至今，中微公司连续14年保持年销售35%以上的增长，人均年销售额达450万元。

　　丛海在展会期间接受《证券日报》记者采访时表示：“目前中微公司五十多种设备产品已经覆盖了超过30%前道集成电路设备产品，未来公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。”

　　中微公司方面称，未来将继续坚持“三维立体生长”与“有机生长和外延扩展”相结合的战略，持续巩固在集成电路关键设备领域的核心竞争力和优势，在规模、产品竞争力和客户满意度上尽早成为国际第一梯队的微观加工设备公司。