8月19日晚间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券代码：688012，以下简称“中微公司”）披露2026年半年度报告。公司上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长34.89%；归属于上市公司股东的净利润为28.25亿元，同比大增300.22%；扣非归母净利润约11.23亿元，同比增长108.36%。

　　中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游公司销售等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光(CMP)设备、MOCVD设备及其他设备、提供配件及服务实现收入和利润。

　　根据国际半导体行业协会（SEMI）2026年年中预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元，AI基础设施扩建与先进存储技术投资是主要驱动力。

　　对于营收增长，中微公司在财报中称，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。

　　中微公司董事长兼总经理尹志尧表示，自2012年至今，中微公司已连续14年保持平均年销售35%以上的增长，人均年销售额达到了450万元，和国际领先的设备公司持平。

　　半导体设备的技术水平直接决定了芯片制造的先进程度。2026年上半年，中微公司在研项目涵盖六大类设备、超20款新设备，包含新一代电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）、晶圆边缘刻蚀设备、低压化学气相沉积（LPCVD）及原子层沉积设备（ALD）薄膜设备、大平板设备以及多款新型MOCVD设备等。

　　财报数据显示，上半年，中微公司研发投入约20.41亿元，同比增长36.89%，研发投入占营业收入比例约为30.52%，远高于科创板上市公司平均10%至15%的研发投入水平。其中费用化研发投入为13.53亿元，同比增长14.39%；资本化研发投入为6.89 亿元，同比增长122.80%，比重较上年同期增加13.02个百分点，主要由于本期研发投入较大的研发项目已达到资本化条件。

　　截至2026年6月底，中微公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。

　　尹志尧在近期的公司22周年庆典上曾表示，公司在开发新产品时，仅需针对性开发30%—40%特定的部分，剩余60%—70%的通用技术、结构组件均被模块化，达到成熟、可复用的状态。

　　今年上半年，中微公司完成了对杭州众硅的控股权收购，后者是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。本次收购配套募资15亿元，国家级产业资本与地方国资双重加持，传递出政策鼓励头部半导体设备企业并购整合、完善产业链自主可控的明确信号。

　　CMP是半导体前道制造中唯一的全局平坦化工艺，与中微公司现有的等离子体刻蚀、薄膜沉积等干法设备形成明确互补。尹志尧明确表示，未来五年将通过自主开发与外延并购，覆盖至少60%以上、超100种半导体高端设备，在先进封装领域覆盖70%以上的关键设备，到2035年在规模、产品竞争力和客户满意度上成为全球第一梯队的半导体设备公司。

　　为应对全球半导体设备市场持续增长的需求，中微公司正在加速推进产能布局。8月1日，位于上海临港滴水湖畔、建筑面积约10万平方米的总部大楼暨研发中心正式落成启用。此外，广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产。公司当前整体建筑面积达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。

　　披露半年报的同时，8月19日晚间，中微公司同步披露了一份对外投资公告，公司全资子公司中微半导体(上海)有限公司拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地(二期)项目，集研发、生产和销售于一体，聚焦刻蚀设备、量测设备、薄膜沉积设备等优势产品。该项目拟选址于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会辖区内，项目计划投资人民币35亿元。