首先中微公司对标泛林集团（Lam Research）

逻辑芯片方面（3nmGAA），中微刻蚀良品率85%，Lam在95%以上

3D NAND（300+层），中微公司深宽比60:1，lam70：1已量产

设备可靠性（MTBF），中微600小时，lam800小时

产能（ICP），中微100片（小时），lam150片（小时）

结论：国产替代还在进行

对标应用材料（AMAT）

导体刻蚀，中微ICP5nm，AMAT3nm量产

先进封装，中微Primo Twin-Star支持CoWoS  ，AMAT采用TSV路线，中微深硅刻蚀速度慢30%左右

AI优化能力，中微和AMAT均采用基础算法调节等离子体

结论：国产替代还在继续

对标北方华创

ICP刻蚀，中微实现5nm量产，北方华创14nm试产，北方比中微落后约2代

设备良率，中微≥90%（存储芯片），北方华创80%左右

国产化率，中微70%左右（射频电源自研），北方华创45%左右

国际客户，中微通过三星/SK海力士认证，北方华创主要供应国内二线厂商

对标新凯莱

刻蚀类型，中微CCP/ICP全覆盖，新凯莱专注介质刻蚀（武夷山系列），两者是互补关系而非竞争关系

逻辑芯片，中微5nm ICP量产，新凯莱7nm介质刻蚀测试中，中微领先1代半

华为协同，海思部分采用中微，新凯莱主要侧重于升腾/鲲鹏芯片验证

光刻方面，中微无布局，但有跟上海微电子的合作计划，新凯莱与上海宇量昇合作DUV光刻机。

另外再对比薄膜沉积设备

核心方向，中微公司主打PECVD（等离子体增强化学气相沉积），新凯莱主打ALD（原子层沉积）

覆盖工艺，中微主打逻辑芯片介电层/存储芯片氮化硅，新凯莱主打高介电常数栅极/金属栅极

制程节点，中微为5nm逻辑芯片/128层3D NAND量产，新凯莱7nm以上验证阶段

中微主导存储芯片沉积，新凯来攻坚逻辑芯片高端沉积，两者没有竞争关系。中微通吃前道设备（刻蚀+沉积），用PECVD高市占反哺ALD研发，绑定存储大厂扩产需求。新凯莱主要服务华为产业链，两者是互相促进的关系。

我的结论：中微只有杀到800以上的价位，才能对新凯莱予以足够空间的估值，两者不是竞争关系，是互相促进的关系