11月17日晚间，立昂微公告，公司控股子公司金瑞泓微电子与衢州智造新城管理委员会签署协议，约定金瑞泓微电子在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，本项目总投资约22.62亿元。项目建设周期约60个月，将分阶段进行，预计每年投入约3.5亿元。

　　资料显示，金瑞泓微电子聚焦12英寸重掺硅片产品的生产，制备出的12英寸重掺系列外延片满足高端功率器件需求，终端应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等领域，市场需求广阔。金瑞泓微电子现有重掺系列硅片产能爬坡迅速，目前已接近满产。

　　立昂微表示，本项目旨在满足高端功率器件市场需求，尤其是高端功率器件市场急需重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格的硅外延片产品需求。项目完成后，公司将新增年产180万片12英寸重掺衬底片的产能规模，进一步提高公司重掺系列硅片生产能力，优化公司产品结构，提升产品丰富度，同时可进一步满足集成电路市场需求，提升公司综合竞争力。