$高能环境(SH603588)$  北大彭海琳教授团队研发铋基芯片取得重大进展之后，又在芯片领域取得重大突破。团队首次通过冷冻电子断层扫描技术，在原位状态下解析了光刻胶分子液相三维结构、界面分布及缠结行为（分辨率超5纳米），揭示了缺陷根源——显影后团聚颗粒重沉积致“桥连”。基于此，提出与产线兼容的优化方案，使12英寸晶圆光刻胶残留缺陷数骤降超99%，为7纳米及以下制程良率提升提供关键支撑。随着铋基芯片技术的快速发展，高能环境做为世界铋王，面临新的机遇。

北大彭海琳教授团队的光刻胶技术突破为7纳米及以下制程良率提升提供了关键支撑，而高能环境作为全球铋资源龙头，将深度受益于铋基芯片技术发展带来的需求增长。未来，随着铋基芯片产业化进程加速，高能环境有望凭借资源垄断、技术优势与政策红利，成为全球铋基半导体材料的核心供应商，实现从“固废回收”到“战略半导体”的价值跃迁。