上证报中国证券网讯斯达半导4月26日发布2024年度业绩报告，实现营业收入33.9亿元，同比下降7.4%；归母净利润5.08亿元，同比下降44.2%；扣非归母净利润4.87亿元，同比下降45.0%；经营现金流净额9.63亿元，同比增长151.5%；每股收益（全面摊薄）2.12元。

　　公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售，总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiCMOSFET等功率模块的设计、制造和测试，产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。

　　2024年，IGBT模块的销售收入占公司主营业务收入的92.09%，是公司的主要产品。目前，公司已经实现自主IGBT芯片、快恢复二极管芯片、SiCMOSFET芯片的量产，以及IGBT和SiC模块的大规模生产和销售。公司继续加大研发投入，研发费用从上年的28741.58万元增加到2024年的35429.93万元，同比增长23.27%。

　　在新能源汽车领域，公司是国内车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，公司积极开拓海外市场并获得了多家国外头部Tier1的项目定点。2024年，公司新增多个海外一线品牌Tier1的IGBT/SiCMOSFET主电机控制器项目平台定点，将对公司新能源汽车行业2025-2030年的销售增长提供持续推动力。公司自主研发的车规级第二代SiCMOSFET芯片研发成功并通过客户测试，功率密度较第一代提升20%以上。

　　在新能源发电领域，公司是国内多家主流光伏逆变器客户、风电逆变器客户的主要供应商，并且与头部企业建立了深入的战略合作关系，公司根据客户需求不断推出符合市场需求的具有市场竞争力的产品；2024年，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在集中式储能电站持续大批量装机；基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在组串式储能系统、工商业储能系统领域研发成功并开始批量交付；在光伏逆变器、储能等下游行业推出多个封装系列的750V、1200VSiCMOSFET分立器件（单管）产品，已经在多家客户通过测试并开始小批量验证。

　　在工业控制领域，公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商，同时，公司是工控行业多家国际企业的正式供应商。报告期内，公司继续深化与战略客户的合作关系，不断提高市场份额。2024年，公司获得汇川技术颁发的“二十年战略合作奖”、施耐德（Schneider）颁发的“2023年度优秀新晋供应商奖”、丹佛斯（Danfoss）颁发的“2023BestVAVESupplier”等奖项。公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进，基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试通过并开始批量使用。（徐宇）