二维金属钼将走出实验室，重塑芯片、能源、通信三大产业。1. 芯片：0.1 nm 晶体管中科院团队已用单层 MoS₂ 做“原子级压砧”，把液态钼压成埃米厚度的二维金属膜，室温电导比块体提高一个量级，且可被电场调控 35 %。按路线图，2028 年前可制成栅长 0.1 nm 的全金属晶体管，功耗比硅基低 90 %，为 1 nm 节点后提供“续命”方案 。2. 高频通信：太赫兹互联二维金属钼的载流子迁移率理论值 >2×10⁵ cm V⁻ s⁻，支持太赫兹频段的等离子体激元。预计 2030 年前后用于 6G/7G 射频前端与片上天线，把无线带宽再提升 100 倍，并让手机芯片的散热压力下降 40 % 。3. 能源：极限催化与储能原子级厚度带来 >1000 m g⁻ 的比表面积，表面原子 100 % 暴露。实验表明，二维钼在锂氧电池正极可将能量密度提高 5 倍；在合成氨反应中可把活化能降低 30 %，有望 2032 年前后建成兆瓦级“绿氢”催化模块 。4. 制备与产业化金钼股份已向中国科院物理所批量供应晶圆级单层 MoS₂，2025 年产能 5 万片/年；配套建成原子级抛光—范德华挤压中试线，目标 2027 年把 2 英寸二维金属钼膜成本压到 30 美元/片，为台积电、三星 1 nm 先导线验证提供材料 。简言之，二维金属钼不是“更薄的材料”，而是把“导体”做成“二维软件”：厚度、功函数、载流密度都可编程。谁先掌握它，谁就拿到后硅时代的门票。