国际射频芯片ADI从2026年2月1日起全系射频信号链商用级涨价10%-15%、工业级15%、军工级30%
TI去年经历过三轮涨价
MPS从1月起涨价15%-30%。
龙头Skyworks、Qorvo、住友电工等在车规/小基站/卫星通信PA新订单涨价8%-15%，工业和军规PA涨价15%-25%
射频滤波器方面saw/ltcc(高端，高温高稳）涨价8%-12%。
与公司在射频PA和滤波器的布局完全契合
$三安光电(SH600703)$ 三安光电射频芯片与功率芯片业务概况
在射频芯片方面，已成功为5G-A提供差异化射频解决方案，包括射频功放/低噪放、晶圆级/芯片级封装滤波器、WireBond/倒装SIP封装等，满足5G-A对设备紧凑性和高性能的需求。在砷化镓薄膜技术领域取得突破，自主研发的第三代砷化镓HBT工艺（HP36/56）支持高阶5G高线性需求，良率从30%提升至90%，成本大幅降低，打破欧美企业对高端射频芯片的垄断。GaN射频功放芯片全球份额达20%，客户覆盖全球主流手机品牌，6G毫米波功放器件已进入小批量量产
在功率芯片方面，车载充电机、空调压缩机用650V 35m/50m、750V 11m、1200V 32m/75m SiC MOSFET已在十余家Tier 1或整车厂客户处送样验证或实现小批量出货
在射频芯片方面，公司已实现5G基站氮化镓芯片国产化，市场份额占国内半壁江山。在功率芯片方面，三安光电的碳化硅功率器件在数据中心、新能源车等领域展现出强大的应用潜力。湖南三安的SiC MOSFET芯片已进入比亚迪、蔚来供应链，适配800V高压平台电驱系统，单芯片成本较进口产品低20%。此外，三安光电与阿里巴巴合作，为阿里云数据中心定制低功耗GaN射频芯片和SiC功率器件，实现技术闭环和产能保障
在砷化镓薄膜技术领域，通过透明衬底替代与硅基反射镜技术，将光电转换效率从45%提升至84%，显著降低衬底吸光损耗，技术参数居世界首位。在衬底去除技术、射频器件性能与成本优势等方面取得突破，技术壁垒显著
三安光电在射频芯片和功率芯片领域受益于政策红利与行业景气共振。国家“十四五”规划明确支持第三代半导体，三安光电承接多项国家级科研项目，国产替代需求推动射频芯片、光通信芯片等业务收入占比提升至21% 。全球半导体设备支出回暖，化合物半导体在新能源汽车、AI服务器、数据中心等领域的应用渗透率快速提升
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