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发表于 2026-01-30 16:05:08 东方财富Android版 发布于 广东
技术取得突破,成功搭建MicroSD单塔16层晶粒堆叠产品,获评省级智能工厂;叠加存储芯片行业景气度回升,闪迪等巨头宣布闪存产品涨价50%!
发表于 2026-01-30 13:24:34 发布于 广东

$太极实业(SH600667)$  根据公司披露的《2024年年度报告》“第三节 管理层讨论与分析”之“四 报告期内核心竞争力分析”,公司核心技术优势如下:

半导体业务:1、子公司海太半导体与SK海力士的深度合作,获得SK海力士的技术许可,对12英寸10纳米级晶圆进行封装;

2、太极半导体在传统倒装工艺基础上,开发高阶混合封装工艺,建立了大颗粒倒装工艺能力;实现高堆叠产品(16D)量产和高堆叠产品(32D)技术突破,完成1DRAM300+层NAND验证量产。

3、太极半导体的相关技术可以用于HBM封测,是HBM先进封装的重要基础,且已有明确迁移与量产路径。

核心技术匹配度

- 高阶混合封装/大颗粒倒装:HBM依赖FCBGA/FC倒装、微凸块等工艺,太极半导体的倒装与混合封装能力可直接复用,适配HBM的高密度互连与基板互联需求。

16D量产+32D突破:HBM4常用16层DRAM堆叠,32DHBM5等下一代技术储备,该能力已通过SK海力士HBM4验证,是关键产能与良率保障。

1 DRAM与300+层NAND验证:积累TSV、堆叠键合、良率控制等核心know-how,与HBM的3D堆叠/TSV工艺高度同源,降低技术迁移成本。

关键补充与定位

太极实业体系内,海太半导体(与SK海力士合资)是HBM3E量产主力,无锡基地月产12万片,占全球约15%;太极半导体侧重国产存储(长鑫/长江)先进封装,其高堆叠与倒装能力可向HBM封装迁移,支撑国产HBM供应链建设。

- 要完全覆盖HBM全流程,还需CoWoS、硅中介层、混合键合等工艺协同,太极实业正通过技术迭代与客户合作补齐,提升HBM封装竞争力。

结论:该技术是HBM封测的核心基础能力,可支撑HBM3e/HBM4量产与下一代技术布局,且在太极实业体系内已有明确量产落地与客户验证

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