截至 2025 年 8 月，华微电子在建/扩建的项目主要有三项，均围绕“功率半导体全产业链”展开：1. 八英寸新型电力电子器件基地（二期扩建） • 性质：在已投运的 8 英寸线基础上继续扩产升级。 • 建设内容：新增月产能 3 万片 8 英寸 IGBT、MOSFET、超结 MOS 芯片；同步建设配套外延片产线。 • 投资额：已累计投入 18 亿元以上，2025 年计划再投入 2–3 亿元用于设备补充及工艺升级。 • 进度：主厂房已建成，正在安装调试新设备，预计 2025 年四季度完成全部产能爬坡并正式释放 。2. 先进功率器件封装基地（三期滚动建设） • 总投资：20 亿元，分三期推进。 – 一期（2 亿元）：功率器件单管封装线、测试划片中心，2023 年已投产； – 二期（6 亿元）：车规级小功率器件封装线，2024 年底已完成主体施工，2025 年三季度开始小批量； – 三期（12 亿元）：大功率模块封装线，目前处于土建收尾阶段，预计 2026 年上半年全面达产 。 • 产能目标：全部建成后年产 15 亿只功率器件及模块，产值约 17.6 亿元。3. 宽禁带半导体中试线（SiC/GaN） • 建设地点：吉林市半导体产业园内。 • 建设内容：6 英寸 SiC 外延＋器件工艺平台，650 V–1 200 V SiC SBD、MOSFET 小批量验证线；GaN HEMT 二代工艺平台。 • 投资额：约 4–5 亿元（含设备与洁净室改造）。 • 进度：2024 年完成工艺平台搭建，2025 年三季度开始客户验证，计划 2026 年转入量产 。总结：目前华微电子的在建工程围绕“8 英寸芯片扩产 + 先进封装 + 宽禁带半导体”三条主线同步推进，预计 2025 年底至 2026 年陆续全面达产，届时将形成从 8 英寸硅基到 6 英寸 SiC/GaN、从晶圆制造到封装测试的完整 IDM 功率半导体产业链。