低位错锗单晶低位错的锗单晶因其晶格完整的特性，主要用于Ⅲ-V族电池的衬底材料，并
低位错锗单晶低位错的锗单晶因其晶格完整的特性，主要用于Ⅲ -V族电池的衬底材料，并最终广泛应用于空间太阳能发电板。有研国晶辉采用直拉法生长的低位错锗单晶，具有大直径、零或低位错密度、高机械强度的特点。目前可提供的最大直径为4英寸。有研国晶辉官方网站：www.guojing-tech.com有研国晶辉服务热线：0316-2509035
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