Counterpoint报告显示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%至90%，迎来前所未有的创纪录暴涨，DRAM、NAND和HBM均创下历史新高。本轮价格飙升的主要动力来源于通用服务器DRAM的急剧涨价。

　　爱建证券认为，受益于AI服务器持续高景气叠加iPhone等智能手机存储芯片参数升级周期，存储行业将开启新一轮发展周期。1）2025年四季度存储芯片进入新一轮涨价周期。iPhone在2025年完成存储容量升级后，判断其内存容量有望在2026迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续。2）DRAM可直接与核心处理器芯片交互，快速存储计算临时信息。

　　金融街证券认为，2025年四季度存储价格延续上涨，DDR4因供给收缩从而价格上涨，DDR5、HBM等大容量、低延迟存储芯片受AI服务器、数据中心建设需求驱动，开启本轮存储涨价和技术升级周期。展望2026年，存储产能紧张趋势有望延续，以“两存”为代表的国产厂商扩产动力充足，看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺提升带来的价值量提升。