刚石作为一种宽禁带半导体材料，具有极高的击穿场强、热导率和载流子迁移率潜力，被认
$力量钻石(SZ301071)$ 刚石作为一种宽禁带半导体材料，具有极高的击穿场强、热导率和载流子迁移率潜力，被认为是下一代高功率、高频电子器件的理想材料。金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其卓越的电气性能而被认为是高功率、高速度电路的关键组件。然而，为了进一步优化器件性能，特别是降低接触电阻（Rc），对源/漏极（S/D）区域进行重掺硼处理（p+层）是解决这一问题的一种有效方式
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