近日，住友电气工业株式会社（以下简称“住友电工”）与大坂公立大学（以下简称“OM
近日，住友电气工业株式会社（以下简称“住友电工”）与大坂公立大学（以下简称“OMU”）在日本科学技术振兴机构（JST）的联合研究项目中取得了一项突破性成果：成功在2英寸多晶金刚石（PCD）基板上成功制备氮化镓高电子迁移率晶体管（以下简称“GaN-HEMT”）。这一技术为移动通信及卫星通信核心器件实现更高容量与更低功耗迈出了关键一步。
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