在HBM3E价格依旧节节攀升之际，存储龙头们已围绕HBM4展开了新一轮的市场份额之争。

　　据TheElec报道，SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月，将于明年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。产能方面，该工厂初期规划约为1万片，预计到明年底将提升至数万片。相关人士透露：“设备投入和安装工作正在进行，计划已进行调整，以实现更快、更大规模的量产。”

　　值得一提的是，M15X又被称作“HBM4专用工厂”，业内人士认为，此次加速生产表明了SK海力士对HBM4供应的信心。

　　截至目前，SK海力士已完成M15X早期投产的技术准备工作，其中就包括完成1b HBM4工艺的认证，其采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。

　　与此同时，英伟达搭载HBM4的Vera Rubin 200平台出货预期愈发明确。市场预测显示，英伟达GB300 AI服务器机柜明年出货量有望达到5.5万台，同比增长129%。Vera Rubin 200平台预计将于明年第四季度开始出货，部分厂商订单能见度已远至2027年。

　　三巨头竞逐HBM4份额

　　时至今日，SK海力士在全球HBM市场仍占据龙头地位。

　　市场调研机构Counterpoint Research数据显示，今年第三季度，SK海力士全球HBM营收市占率达57%，虽有下滑但仍好于去年同期。与之相比，三星与美光的市占率则分别为22%和21%。

　　然而，未来上述格局或将被撼动。据韩国《每日经济新闻》日前消息，英伟达相关团队访问了三星，通报了 HBM4 系统级封装（SiP）的测试进展。会议透露，在运行速度与功耗效率两项核心指标上，三星的产品在所有内存厂商中取得了最佳表现。

　　基于其优异表现，英伟达也为三星HBM4的供应亮起了绿灯。据悉，英伟达要求的明年三星HBM4供应量大大超过了其内部预测值。 预计这将对三星业绩的改善起到显著作用。三星内部人士表示：“与上次的HBM3E不同,我们在HBM4开发上处于领先地位。”

　　据报道，三星考虑到其平泽P4生产线的增设速度和生产能力等,将于明年第一季度正式签订供应合同。 预计将从第二季度开始正式供应。

　　除此之外，美光也参与到HBM4的竞争之中。最新财报显示，其HBM4将在2026年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。HBM4在基础逻辑芯片和DRAM核心芯片上采用先进的CMOS和先进金属化工艺技术，这些芯片均由美光自主设计与制造。

　　华泰证券指出，2026年全球三大存储企业的资本开支或将集中在HBM/DRAM上。根据TrendForce预测，2026年DRAM位增长率或将达到26%。存储超级周期有望成为2026年半导体行业重要主线，但呈现结构性分化特征，Batch ALD设备、测试设备及封装加工设备的市场需求有望明显增长。