$赛微电子(SZ300456)$  单独科普一下:

反铁磁+二维半导体芯片：典型应用场景+赛微电子可承接器件类型

二者融合的器件/芯片，依托高速低功耗、高密度抗干扰、异构集成、极端环境适配的核心优势，且工艺与赛微电子MEMS/CMOS集成产线高度兼容，可落地多类高价值场景，赛微电子也能依托现有工艺能力承接核心器件制造。

一、典型应用场景（高价值、高适配性）

聚焦后摩尔时代芯片的核心需求，覆盖民用高端+工业特种+前沿科技三大领域，均为当前硅基/传统铁磁芯片的性能短板领域。

1. 民用高端：AIoT/边缘计算/消费电子

- 核心需求：低功耗、小体积、高速响应、高密度存储

- 适配产品：反铁磁+二维半导体存算一体AI芯片、手机/可穿戴设备超低功耗主控芯片、固态硬盘下一代AFM-RAM存储芯片

- 核心优势：待机功耗仅为硅基的1/5，读写速度皮秒级，存储密度达TB级/cm，适配可穿戴设备长续航、AI边缘计算低延迟需求。

2. 工业特种：航天/军工/深海/核电

- 核心需求：抗辐射、宽温域、高可靠性、抗磁干扰

- 适配产品：航天卫星抗辐照存储/逻辑芯片、军工设备极端环境主控芯片、深海/核电无人设备传感-计算融合芯片

- 核心优势：工作温度-55℃~200℃，零净磁矩抗外部磁干扰，抗辐射能力远超传统MRAM，无需额外抗辐照封装，大幅降低设备体积与成本。

3. 前沿科技：量子传感/6G通信/存算融合

- 核心需求：多物理场调控、高灵敏度、异构集成

- 适配产品：量子精密测量反铁磁磁传感器芯片、6G通信高速低损射频芯片、脑机接口微纳尺度传感-计算芯片

- 核心优势：反铁磁多物理场调控（电/磁/应力）+二维半导体范德华异质结多功能集成，可实现磁传感灵敏度达纳特斯拉级，射频传输损耗比硅基低30%。

4. 数据中心：高算力服务器

- 核心需求：低功耗、高密度、高率

- 适配产品：数据中心AFM-RAM主存芯片、算力卡存算一体加速芯片

- 核心优势：读写速度比DRAM快100倍，功耗比NAND低2个数量级，解决数据中心“算力提升-功耗剧增”的核心矛盾，降低PUE值。

二、赛微电子可承接的具体器件类型

依托其8英寸MEMS产线（北京）、MEMS磁传感/薄膜沉积/异质集成工艺，以及与原集微协同的二维半导体流片能力，可直接承接/协同开发反铁磁+二维半导体的核心有源/无源器件，均为芯片的核心组成单元，工艺无需大幅改造，可复用现有产线设备。

1. 核心存储/逻辑器件（芯片核心功能单元）

- 反铁磁隧道结（AFMTJ）：反铁磁芯片的核心存储单元，由二维反铁磁层（如r-Cr₂Se₃）+二维势垒层（如h-BN）+铁磁电极层构成，赛微电子可承接磁控溅射薄膜沉积、电子束光刻图形化、离子束刻蚀全工艺，适配高密度存储阵列制造。

- 二维反铁磁场效应管（AFM-FET）：逻辑运算核心器件，以MoS₂/石墨烯为二维沟道层，叠层反铁磁材料为栅极/源漏极，赛微电子依托MEMS工艺实现原子级薄膜沉积、栅极精准刻蚀、CMOS单片集成，支持5nm以下工艺微缩。

- 反铁磁自旋阀：高速信号传输器件，利用反铁磁磁畴翻转实现自旋电流调控，赛微电子可通过磁畴定向调控工艺（电场/电流调控）实现器件制备，适配高速逻辑电路。

2. 传感-计算融合器件（异构集成核心）

- 二维反铁磁磁传感器：高灵敏度磁探测单元，由二维反铁磁材料与光电层集成，赛微电子复用MEMS磁传感器工艺（如晶圆级封装、微纳结构刻蚀），实现传感器与计算单元的单片集成，适配量子传感、工业检测。

- 压电-磁电耦合器件：多物理场调控单元，结合二维半导体压电特性（如ZnO）与反铁磁磁电效应，赛微电子通过异质结键合工艺实现层状堆叠，适配存算一体、智能传感芯片。

3. 配套无源/集成器件（芯片基础单元）

- 二维半导体互连器件：以石墨烯/碳纳米管为互连层，解决传统铜互连的电阻瓶颈，赛微电子可承接化学气相沉积（CVD）薄膜生长、晶圆级平坦化工艺，适配高密度芯片的互连需求。

- 晶圆级封装（WLP）器件：赛微电子核心优势工艺，为反铁磁+二维半导体芯片提供超薄封装、三维堆叠，大幅减小芯片体积，适配可穿戴、微纳设备。

核心适配逻辑总结

1. 赛微电子可承接的器件，均复用其现有MEMS磁传感、薄膜沉积、异质集成工艺，仅需少量工艺优化，无需新增巨额设备投资，是实现器件低成本、规模化制造的关键；

2. 应用场景均瞄准传统芯片性能瓶颈领域，且多为国家“卡脖子”、高附加值领域，契合国内半导体自主可控的战略方向，也是复旦-原集微-赛微电子三方协同的核心落地领域。