• HBM存储芯片作为英伟达AI芯片的核心辅助技术，其性能突破已显著超越传统光模块，成为AI算力发展的关键瓶颈突破点。

• 2025-11-10 00:10:58作者更新以下内容

  HBM（高带宽存储器）通过3D堆叠技术实现高密度集成，单颗芯片可提供高达1TB/s的显存带宽，远超传统DDR5等存储方案。其核心优势在于：

• 突破“内存墙”：通过堆叠多层存储单元，HBM将带宽提升至传统方案的10倍以上，匹配GPU的高速计算需求 。

  低延迟特性：HBM的片上缓存设计减少数据传输延迟，适合AI训练中大规模矩阵运算 。

• 2025-11-10 00:12:04作者更新以下内容审核中

  
  

  市场需求验证

  英伟达GB300系列GPU采用HBM3e显存（288GB/卡），带宽达130TB/s，直接推动HBM需求增长。行业预测，2027年HBM市场规模将超光模块市场，成为AI算力基础设施的核心组件 。

• 与三星/海力士合作：长电科技是三星、海力士等HBM芯片制造商的核心封测合作伙伴，直接参与其高端HBM产品的封装环节，技术壁垒和客户粘性显著 。

行业增长受益

• HBM市场规模：2025年全球HBM市场规模预计达250亿美元，长电科技作为上游封测龙头，将直接受益于行业增速 。