HBM市场因AI算力需求而快速增长，英伟达等巨头正在积极增加HBM供应商。

HBM的制造涉及多种先进技术，如TCB（热压键合）键合工艺，而SK海力士等领先厂商则采用

MR-MUF技术来确保高堆叠芯片的可靠性。

飞凯材料是HBM产业链上游的材料供应商，其产品与HBM制造密切相关

　韩国半导体巨头SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。

　　据媒体最新报道，SK海力士在该供应谈判中占据上风，向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。

　　这款HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片Rubin。SK海力士今年3月率先向英伟达交付全球首个HBM4 12层堆栈样品，6月即开始供应初始批次。随着AI基础设施投资热潮推高整体存储芯片需求，SK海力士的议价能力得到强化。

　　英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应HBM4，双方一度陷入僵持，但最终供应价格敲定在SK海力士提议的每颗约560美元。一位产业人士表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4具备大幅提价的因素。

　　随着明年下半年从主力供应产品HBM3E转向HBM4，该公司HBM业务整体表现预计较今年增长40%至50%。SK海力士在近期投资者关系会议中向机构投资者预测，高营业利润率趋势将延续至明年。该公司称，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量。

　　有分析师预计，基于HBM4的高利润率和通用型DRAM价格飙升，SK海力士明年营业利润可能突破70万亿韩元，创下历史新高，该公司已提前售罄明年产能。

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