日子本州东部海域发生7.5级地震，震中靠近福岛县、宫城县——这正是全球光刻胶核心生产基地所在区域。此次地震对高端半导体光刻胶供应链造成直接冲击，短期内将加剧供应紧张，并进一步加速中国在该领域的国产替代进程。

一、光刻胶的种类与技术壁垒
光刻胶类型 波长（nm） 制程节点 应用领域 技术难度 日本主导企业
g-line / i-line 功率器件、LED、面板           ★（低） 东京应化、住友化学
KrF                 MCU、CIS、电源管理芯片    ★★★（中） TOK、信越化学
ArF干式          成熟逻辑/存储                      ★★★★（高） JSR、TOK、信越
ArF浸没式      主流逻辑/DRAM                   ★★★★★（极高） JSR、TOK
EUV               先进逻辑（HPC/AI芯片）    ★★★★★★（顶尖） JSR、信越、富士胶片
关键点：
主要影响 TOK郡山工厂（福岛），其是 KrF/ArF光刻胶核心产地；
EUV虽产能集中于千叶、新潟等地，未直接受损，但物流与原材料可能间接受扰。

二、光刻胶厂商受地震影响情况
公司 工厂位置 地震影响 产品侧重
东京应化（TOK）     福岛县郡山市 强震区，            已停机检查 KrF、ArF主力供应商
信越化学 新潟、福岛（辅助）          主基地未受损，但东北物流中断 ArF、EUV、高纯树脂
JSR 千叶县                                      距震中较远，     暂无停产报告 EUV全球龙头
富士胶片 神奈川                              未受影响 ArF/EUV
结论：KrF/ArF光刻胶短期供应风险最高，直接影响成熟制程（28–90nm）芯片生产，而这类芯片占全球晶圆出货量超70%。

三、国产替代进展（2025年）
光刻胶类型 国产化率 主要突破 验证客户
g/i-line >50%           晶瑞电材、容大感光量产 中芯集成、华微电子
KrF ~20%                 彤程新材、南大光电通过验证 中芯国际、长江存储
ArF干式 ~10%          南大光电、晶瑞电材小批量 中芯、华虹
ArF浸没式 <5%        南大光电、上海新阳研发中 实验室/小试
EUV ≈0%                 北大彭海林团队基础研究突破 尚未进入产线
趋势：
成熟制程（KrF/ArF干式）国产替代已进入“放量导入”阶段；

总结：地震催化下的投资主线
短期：KrF/ArF光刻胶供应紧张 → 彤程新材、南大光电直接受益；
中期：晶圆厂加速验证 → 晶瑞电材、上海新阳有望放量；
长期：EUV和浸没式ArF仍是“卡脖子”环节 → 国家大基金三期支持方向；