$苏大维格(SZ300331)$  凭借“微纳光学+直写光刻+纳米压印”有望在 800 G/1.6 T 硅光与 CPO 时代切进供应链核心环节。

一、方向：器件-装备-材料“三位一体”

1. 关键衍射器件

• 衍射光栅耦合器：线宽 ≤15 nm，插损 <0.5 dB，满足 800 G/1.6 T CPO 引擎对“小尺寸、低损耗”耦合的刚性需求，已送样国内光模块厂验证。

• 波长选择镜/外腔可调激光器镜：利用相同纳米压印工艺，一次成型多层光栅，实现片上波长调谐与稳频，替代传统体光学元件，降低封装厚度 60%。

2. 直写光刻装备

• 3×66 nm 无掩模激光直写机，曝光面积 300 mm×300 mm，套刻精度 ±50 nm，可把 AWG、光子晶体、VOA 等硅光芯片的流片周期从 6 周缩至 1 周，已小批量交付光模块厂用于快速迭代。

• 通过控股常州维普补齐 28 nm 以下掩膜写入能力，未来可向硅光调制器、光开关矩阵、量子通信用高维光栅等高端场景延伸。

3. 纳米压印材料与工艺• 紫外固化纳米压印可在 200 mm 晶圆上一次性复制石英或硅基光栅，单步良率 97%，单通道成本降至 0.3 美元，为数据中心百万量级部署提供经济可行性。

• 与 CMOS 线兼容，可直接在硅光晶圆上“后道”植入衍射元件，避免二次贴片，降低封装成本 30% 以上。                                     二、应用方向                                           1. CPO 共封装光学

2025 年起，英伟达、思科等龙头服务器交换机将大规模导入 1.6 T CPO，单柜光引擎价值量超 36 万美元。苏大维格的低损耗耦合光栅与直写装备已同步通过国内头部光模块厂验证，有望随客户切入海外云厂商供应链。

2. 硅光芯片快速迭代

公司直写光刻机“无需掩膜、一天出图”的特性，恰好匹配硅光厂“设计-验证-优化”高频迭代需求；随着 400 G/800 G 硅光芯片品种数爆发，装备复购率与耗材（压印胶、模板）销售将形成持续收入。

3. 量子/传感新兴应用

利用 15 nm 级线宽控制，公司正与国内量子通信团队联合开发高维 OAM 光栅、光子晶体微腔等器件，一旦量子城域网扩容，将带来全新订单增量                                               苏大维格把原本用于 AR 眼镜的“纳米压印光栅”技术横向移植到光通信，形成“器件-装备-材料”闭环，切中 800 G/1.6 T CPO 对“低成本、快速迭代”耦合方案的核心痛点。随着硅光模块进入密集放量期，公司光通信业务具备三年十倍产值弹性，是除 AR-HUD 之外最具爆发力的第二增长曲线。