$麦捷科技(SZ300319)$   AI芯片对电感的要求之所以“陡升”，并不是单一参数变高，而是“四高一同”——高电流、高频、高功率密度、高可靠性＋同步小型化——同时压在一个几毫米见方的元件上。任何一项掉链子，整颗GPU/ASIC就会过热、降频甚至烧毁。具体痛点如下：

1. 电流爆炸：单芯片 600 W→1000 W，电感必须扛住 100 A+ 瞬态

英伟达 H100 典型功耗 700 W，GB300 官宣 TDP 1000 W，峰值电流>120 A；电流台阶 10 μs 内爬升 50 A，传统电感磁芯瞬间饱和，电感量暴跌→电压塌陷→芯片宕机。  

要求 Isat≥120 A、温升电流≥90 A，且 10 MHz 频带内不出现软饱和。

2. 频率飙升：GaN/SiC 电源开关 1 MHz→3 MHz，铁氧体损耗失控

800 V GaN 图腾柱 PFC 把开关频率从 100 kHz 拉到 1–3 MHz，铁氧体磁芯涡流损耗与 f 成正比，温升 >40 ℃，效率掉 3–4 个百分点。  

必须改用 纳米晶/金属软磁粉芯，将高频损耗降 50% 以上，同时保持 μ′>100 的高磁导率。

3. 功率密度翻倍：机柜 100 kW→300 kW，电感体积被压缩 60%

OCP ORV3 规范要求 1 U 电源模块提供 3 kW，留给电感的厚度 <4 mm；GB300 单卡电感用量却从 25 颗增至 64 颗，“用量↑+体积↓”同步发生。  

只有 0402/0502 封装、DCR<0.4 m 的一体成型电感才能塞进 0.75 V/100 A 的 VRM 里而不挤占散热风道。

4. 温度恶劣：芯片热点 110 ℃，电感要长期满负荷

AI 服务器 7×24 满载，入口温度 45 ℃，局部热点 110 ℃；铁氧体 100 ℃ 时 μ 下降 30%，饱和点漂移→供电抖动。  

需采用 宽温软磁合金，-55 ℃+150 ℃ 区间 μ 变化 <5%，且高温 1000 h 老化后 DCR 增幅 <3%。

5. 信号完整性：100 G+ 串行总线，电感也是 EMI“闸门”

800 G 光模块、PCIe 6.0 采用 PAM4 信号，边沿 20 ps，共模噪声 30 GHz；电源纹波 >5 mV 即可导致 BER 劣化。  

芯片电感需兼具 噪声抑制 功能，在 500 kHz–10 GHz 内阻抗 >1 k，同时直流偏置 20 A 不饱和。

AI 芯片把“低电压、大电流、高斜率、高频率、高温度”五重压力同时施加给电感，传统铁氧体绕线电感在任何一个维度都会触顶，于是倒逼产业链转向 “纳米晶/金属软磁+一体成型+0402 封装” 的新一代芯片电感。谁能同时把 Isat 做上 120 A、DCR 压到 0.4 m、高频损耗降 50%、体积缩小 70%，谁才能留在 1000 W 的 AI 芯片旁边——这正是麦捷科技成为世界唯一的原因，捅破了传统高端电感（村田、TDK）的“天花板”。

新款AI芯片频率×电流双双翻倍，封装却更薄，（村田、TDK）传统铁氧体一体成型电感在 110 ℃ 时 μ 下降 30%，无法满足。只有麦捷科技的纳米晶合金，1 MHz 损耗比铁氧体低 50%，150 ℃ 仍保持 95% 初始电感量才能符合要求。

2025 年 6 月投资者关系记录——“英伟达GB300 项目已完成可靠性验证，进入小批量交付”，Meta、Google ASIC 同平台共用。