中际旭创已实现硅光芯片自研并大规模出货，覆盖400G、800G及1.6T光模块，
中际旭创已实现硅光芯片自研并大规模出货，覆盖400G、800G及1.6T光模块，良率达95%，成本较传统方案低20%-30%，1.6T单通道速率200Gbps，功耗降至12W以下。与Tower Semiconductor合作推进3.2T/6.4T CPO，800G ZR相干引擎与100G EML芯片送样，25G DFB已量产，国产化率目标2026年达50%。
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