DRAM与NAND闪存跳涨韩国最新海关进出口数据显示，DRAM与NAND闪存价格
DRAM与NAND闪存跳涨
韩国最新海关进出口数据显示，DRAM与NAND闪存价格在单月内出现大幅跳涨，折全球存储市场在AI需求驱动下的结构性供需失衡。
其中，NAND闪存产品价格环比飙升63.1%，HBM内存价格环比上涨18.7%，裸DRAM芯片价格环比涨幅亦超过20%。上述数据覆盖2026年4月至5月10日区间，与去年同期相比，各主要品类涨幅普遍在165%至500%之间。
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