根据会议通知，本次会议是在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）指导下，由赛迪智库集成电路研究所、中国科学院半导体研究所、云南大学、昆明理工大学等单位支持，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、半导体产业网、第三代半导体产业联合主办，云南鑫耀半导体材料有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办—“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”，会议将围绕新一代大尺寸半导体材料在功率半导体大规模制造过程中，关键工艺及装备、器件设计与制造、关键材料、绿色厂务及产品开发与创新应用，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，探寻功率半导体最新技术进展，分享生产制造过程中全流程优化方案，共促功率半导体全产业链协同发展。
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司是集锗矿开采选、精深加工、光电半导体材料研发及生产为一体的国家高新技术企业，是亚洲最大、产业链最完整的锗行业龙头企业。拥有国家级企业技术中心、光电半导体材料联合实验室等先进研发平台，是国家工信部认定的“国家技术创新示范企业”、第六批制造业单项冠军示范企业。院士专家团队，建有2个院士工作站、2个专家工作站和博士后工作站。制定国家锗行业标准41项，承担国家、省部级重大专项课题10余项，获得云南省标准化创新贡献奖、云南省技术发明一等奖等各级科技奖励10余项，获得授权专利185件，掌握锗、砷化镓、磷化铟等半导体材料加工关键技术48项。
报告题目：中国锗产业发展现状与高质量发展路径展望
报告摘要：锗作为红外探测、光伏能源、光纤通信等战略领域的关键材料，其产业发展对国家高端制造与新能源安全具有重要意义。本报告系统梳理我国锗产业的整体格局：从资源禀赋看，我国锗储量与产量均居全球前列，形成了从矿山开采、冶炼提纯到单晶制备、器件应用的完整产业链；在技术层面，国内企业已突破大直径红外锗单晶、低位错锗单晶生长等核心技术，部分产品实现进口替代，应用于航天、安防、新能源等领域。
同时，报告深入分析产业当前面临的挑战：资源回收利用效率待提升、高端材料与国际顶尖水平仍有差距、市场竞争同质化等。在此基础上，探讨产业高质量发展路径，包括强化资源循环体系建设、突破关键工艺瓶颈、推动产业链上下游协同创新、拓展在量子通信、太赫兹器件等新兴领域的应用，为行业同仁提供趋势参考与实践方向。
云南大学光电子与能源材料团队一直围绕非制冷探测材料与器件、Si基光电器件、钙钛矿太阳电池与探测器、III-V族晶片及红外探测材料开展研究，形成了一支富有创新力的研究团队，承担了多项国家自然科学基金项目和云南省重大科技专项项目，在光电材料和器件的研究方面分别获得了云南省科学技术奖自然科学类一和二等奖。
云南中科鑫圆晶体材料有限公司是一家专业从事低位错、高性能空间太阳能电池用锗单晶材料的国家高新技术企业，是国内最大的锗单晶衬底片生产企业。公司先后承担了国家、省部级重大专项15余项。公司获得国家级专精特新“小巨人”、国家级“绿色工厂”荣誉；获得授权专利44件，主持/参与制定13项国家标准。通过科技成果转化，空间卫星太阳能电池用锗单晶衬底片产品实现了国产化替代、填补了国内空白。
报告前瞻
报告题目：GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究
报告摘要：GaSb与InAs因其高的光吸收系数和载流子迁移率以及易形成II型能带结构等特性，在光电探测器应用领域引起极大关注。然而，MBE和CVD法因制备的高成本限制了器件的应用。磁控溅射法作为物相沉积法具有高溅射速率、规模化、低成本的优点，对于GaSb基光电子器件应用具有广阔的潜力。由于GaSb与InAs薄膜的晶格常数相匹配，采用GaSb衬底进行InAs薄膜的外延可以极大幅度降低薄膜内的缺陷与位错数量。综上，本团队利用GaSb衬底晶格常数与InAs材料晶格常数相近的特点，通过磁控溅射法，制备了GaSb薄膜材料作为缓冲层，开展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通过分析生长参数对于GaSb薄膜结晶与退火晶化的影响，制备了高质量、均匀平整的GaSb薄膜。首次通过磁控溅射法在GaSb衬底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通过探究InAs薄膜退火氧化效应的影响，采用磁控仪在衬底解析温度以制备出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共溅射法制备GaInAsSb薄膜，并研究了不同生长温度的影响。为磁控溅射法生长Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜开辟了新的研究途径。
