半天涨不起来的阿斗
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发表于 2025-11-22 22:31:04
发布于 河北
纳思达：PCRAM技术“国产突破者”，填补国内空白 纳思达与中科院联合研发相变存储器（PCRAM），通过“相变材料（如锗锑碲）在晶态与非晶态间的转换”实现数据存储，读写速度比传统NAND Flash快1000倍，且寿命达百万次，适合高频读写场景（如军工数据记录、航空航天设备）。目前，公司PCRAM产品已批量应用于军工、航空航天领域，填补国内相变存储技术空白，打破美光、英特尔对该领域的垄断。
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