在半导体产业蓬勃发展的当下，企业间的合作关系成为推动技术创新与产业升级的关键力量。通富微电与长鑫存储的合作，备受业界瞩目，二者的合作究竟处于什么层级呢？让我们一探究竟。

通富微电作为先进封装领域的佼佼者，在全球封装测试市场占据重要地位，是先进封装全球三强，存储芯片封装份额占35% 。而长鑫存储则是中国最大的DRAM内存芯片研发和制造企业，专注于移动终端、PC、服务器等领域的DRAM产品，在国内存储芯片市场举足轻重。

从合作层级来看，通富微电与长鑫存储是深度的战略合作伙伴关系，涵盖技术研发、产品量产多个关键领域。

在技术研发上，双方联合研发前沿技术，比如HBM（高带宽内存）封装技术。通富微电主攻长鑫的高端存储封装，二者合作开发的HBM封装技术，已经进入客户验证阶段。在这一过程中，通富微电在2.5D封装技术上取得显著成果，良率超99%，新建产能剑指每月10万片，硅通孔密度达到每平方厘米10的6次方个，有力推动HBM技术发展。若该技术实现量产，将打破SK海力士在HBM领域的垄断，为国产AI服务器装上“国产内存心脏” ，极大提升国产存储在高端市场的竞争力。

产品量产层面，通富微电为长鑫存储提供成熟的封装测试服务。2025年Q2，通富为长鑫封装的DDR5内存在数据中心客户的测试中，性能比上一代提升40%，功耗降低25%，这一成果让长鑫在企业级存储市场的竞争力大增。通富微电还为长鑫存储提供HBM 3封装，2025年实现12层堆叠技术，带宽达819GB/s，应用于英伟达AI显卡，年产能300万颗，良率98.5% ，确保长鑫存储产品高质量、大规模进入市场。

通富微电与长鑫存储的合作是全方位、深层次的战略协同，从技术攻坚到产品落地，双方紧密合作，共同推动国产存储芯片产业的进步，在全球半导体市场竞争中开拓出一片新天地，也为行业内其他企业的合作树立了典范。