先进封装技术全球领先

      通富微电在2.5D/3D 封装领域已实现与国际巨头比肩的技术突破。其自主研发的 2.5D 封装技术可支持 120mm×120mm 超大芯片（行业平均 80mm），通过 AMD MI300X 的 HBM3 封装验证，良率达 98%。在Chiplet 技术方面，公司已实现 7nm 量产与 5nm 工艺验证，2024 年相关营收同比增长超 50%，并为华为昇腾 910C 提供封装服务，通过计算芯粒与 I/O 芯粒分离设计降低对先进制程的依赖。此外，其 VISionS 先进封装平台融合 2.5D/3D/MCM-Chiplet 等技术，支持光引擎与芯片的高密度集成，为 CPO 技术落地奠定基础。

国内 HBM 封装绝对龙头

       作为国内唯一具备HBM 大规模量产能力的厂商，通富微电承接了 AMD MI300 系列 GPU 的 HBM 封装订单，并与国内存储厂商合作推进国产化替代。其马来西亚槟城基地新增 HBM 封装产能 30%，2025 年投产后将直接满足 AMD MI350 系列的增量需求。技术层面，公司通过桥接式互连技术实现 400GB/s 传输带宽，信号延迟低于 0.3ps/mm，优于台积电 CoWoS 方案，支撑 AI 芯片算力提升。

       汽车电子与消费电子双轮驱动

      公司在汽车电子领域增长迅猛，2025 年上半年营收同比增长超 200%，产品覆盖特斯拉 800V 平台 SiC MOSFET 封装（通过 AEC-Q101 Grade 0 认证）、比亚迪车规 MCU 封装等核心部件。在消费电子领域，与联发科合作营收增长 46%，成为其中高端手机芯片核心伙伴，并深化与卓胜微、艾为电子的射频与模拟芯片封装合作。

       二、CPO 与 HBM 的最新进展：技术突破与订单锁定

      CPO 技术：量产在即，绑定英伟达 / AMD 双巨头

       技术验证：CPO 产品已通过初步可靠性测试，功耗较传统方案降低 40%-70%，传输效率达 1.6T/3.2T，性能指标对标国际大厂。

       商业化进展：与英伟达联合开发的 800G CPO 模块完成验证，预计 2026 年随 Blackwell Ultra 平台放量新增 20-25 亿元订单。同时，深度参与 AMD MI400 系列 AI 芯片封装，该系列计划于 2026 年推出，CPO 技术将成为其核心封装方案。

产能储备：南通、苏州、槟城基地已提前布局 CPO 产线，2025 年下半年开始配合 AMD MI400 进行量产准备。

        HBM 封装：产能扩张与国产替代并行

            产能释放：马来西亚槟城基地新增 HBM 封装产能 30%，2025 年投产后可满足 AMD 未来三年 50% 以上的增量需求。

国产化协同：与华为海思合作开发 Chiplet 封装方案，采用国产材料和设备（如华海诚科的环氧塑封料），成本较国际方案降低 40%，实现供应链自主可控。

          技术突破：通过 TSV 异质键合 3D SoC 技术，支持 HBM 与逻辑芯片的高密度集成，良率达 98%，直接对标三星、海力士的先进封装工艺。

           三、未来发展潜力：AI 算力革命下的增长引擎

           AI 芯片封装需求爆发

          全球 AI 算力需求推动 HBM 与 CPO 市场高速增长。据 Lightcounting 预测，2024-2030 年 CPO 市场规模将以 137% 的复合增速增长至 81 亿美元，而 HBM 市场规模预计 2026 年突破 300 亿美元。通富微电作为 AMD、英伟达的核心供应商，将深度受益于 MI300/400 系列、Blackwell Ultra 等高端 GPU 的量产需求，2025-2027 年累计订单规模预计达 150-180 亿元。

汽车电子与国产替代双轮驱动

        车规级封装业务成为第二增长曲线，特斯拉、比亚迪等头部车企的订单支撑营收高速增长。同时，华为昇腾芯片的国产化需求为通富微电带来增量空间，2025 年华为计划交付 80 万颗昇腾芯片，公司独家承接昇腾 910C 封测订单，AI 封装订单增速超 50%。

         产能与政策双重保障

公司 60 亿元扩产计划（苏州、槟城新增高阶 FC-BGA、2.5D/3D 产线）全部投产后，月产能折合 6 万片 12 寸晶圆，可承接 AMD 未来三年 50% 以上增量需求。此外，国家集成电路产业投资基金二期加大对先进封装的投入，政策红利进一步强化技术壁垒。

         四、竞争格局：国际巨头垄断与国内差异化突围

        CPO 领域：国际标准主导，国内协同创新

        国际巨头：博通、英伟达掌控 CPO 核心专利，台积电 3nm 工艺支撑 ASIC 芯片，Lumentum 垄断磷化铟激光器，国产化率不足 30%。

         国内竞争：中际旭创、新易盛等光模块厂商在 1.6T 产品上通过英伟达认证；通富微电则通过与 AMD、英伟达的深度绑定，在 AI 芯片封装领域形成垂直整合能力。

         HBM 封装：技术壁垒与供应链依赖

国际垄断：三星、SK 海力士、美光占据全球 90% 以上 HBM 产能，通富微电需依赖进口 DRAM 晶圆与封装材料。

国产替代：公司通过与华为海思合作，在封装环节实现材料与设备的国产化，但核心原材料（如硅光芯片）仍需突破进口限制。

         与传统封测大厂对比：差异化竞争与发展路径

       日月光：作为全球封测龙头，凭借规模效应与全产业链服务能力占据市场主导地位，在系统级封装（SiP）、倒装芯片封装等传统领域技术成熟，客户覆盖广泛。通富微电规模较小，但在绑定 AMD 等大客户后，通过定制化服务与技术迭代实现快速增长，在 AI 芯片封装细分领域形成差异化优势。

       台积电：以晶圆代工为核心，延伸至先进封装领域，凭借 3nm 等尖端制程技术与 InFO、CoWoS 等先进封装工艺，垄断高端芯片制造与封装市场。通富微电聚焦封装环节，通过深度绑定 AMD 获得技术与订单支持，在封装工艺上紧跟国际前沿，以性价比与本土化服务抢占中高端市场份额。

       长电科技：作为国内封测龙头，与通富微电在国内市场存在竞争关系。长电科技技术储备全面，在 2.5D/3D 封装、Fan-Out 封装等领域均有布局，且通过收购星科金朋实现技术与市场突破；通富微电则凭借与 AMD 的战略合作，在 CPU、GPU 封装领域形成技术与产能优势，双方在客户结构、技术路线上呈现差异化竞争态势 。

       五、风险因素：技术迭代与供应链挑战

        技术路线替代风险

       LPO（线性直驱）技术在中短距场景渗透率已达 25%，若成本再降 30% 可能挤压 CPO 空间。此外，OIO（光学输入输出）或铜缆高速连接技术的突破也可能分流市场需求。

        供应链依赖与地缘政治风险

CPO 所需的硅光芯片、磷化铟材料仍依赖进口，若美国限制出口，毛利率可能下滑 5-10 个百分点。马来西亚工厂虽规避关税风险，但地缘政治紧张可能影响产能稳定性。

       产能过剩与良率瓶颈

       2025 年全球 CPO 产能规划超 700 万端口，若 AI 算力建设放缓，2026 年产能利用率或降至 60%。当前 CPO 量产良率约 60%，距离行业目标 85% 仍有差距，成本下降速度可能低于预期。

       结论

       通富微电凭借先进封装技术、HBM/CPO 量产能力及多元化客户结构，已从 “单一依赖 AMD” 转型为 “AI 算力 + 汽车电子 + 国产替代” 的多引擎增长模式。尽管面临技术迭代与供应链挑战，但其在 CPO/HBM 领域的先发优势、与头部客户的深度绑定及产能扩张计划，使其有望在未来 3-5 年成为全球先进封装领域的核心参与者。投资者需重点关注 2025 年下半年 CPO 量产进度、华为昇腾订单落地及 HBM 良率提升情况，这些将是判断公司能否持续领跑的关键信号。