近期表现强势的存储板块或又迎涨价利好！

　　消息面上，据财联社，三星电子本月提高了某些内存芯片的价格，这些芯片因全球建设AI数据中心的热潮而供应短缺，提高后的芯片价格比九月份上涨了多达60%。

　　此前11月5日，另一巨头SK海力士宣布已与英伟达就明年HBM4供应完成价格和数量谈判，其向英伟达供应的HBM4单价确认约为560美元，较当前供应的HBM3E（约370美元）涨价超50%，且超出此前业内500美元的预期10%以上。

　　半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示，许多最大的服务器制造商和数据中心建设商"现在接受他们无法获得足够产品的事实。支付的价格溢价极高"。

　　三星32GB DDR5内存芯片模组的合同价格从9月的149美元跃升至11月的239美元。DDR内存芯片用于服务器、计算机和其他设备，通过临时存储数据和管理快速数据传输和检索来辅助计算性能。

　　该公司还将16GB DDR5和128GB DDR5芯片价格分别上调约50%，至135美元和1194美元。64GB DDR5和96GB DDR5的价格涨幅超过30%。

　　KB证券研究主管Jeff Kim表示，三星在向人工智能芯片转型方面较慢，这意味着该公司在内存领域比SK海力士和美光等竞争对手拥有更强的定价权。

　　主力资金：11月抢筹多只存储概念股

　　而对于注重“海外映射”的A股市场而言，此次三星大幅提价，能否带动存储板块继续强势值得关注。

　　东方财富Choice数据显示，自11月以来，普冉股份排名第一，主力净买入4.9亿元；神州数码排名第二，主力净买入4.5亿元。

　　好上好、盈新发展、国科微、同有科技、北京君正、协创数据、杭州柯林等个股主力净买额在3.8亿元至1亿元之间不等。

　　机构：存储进入新一轮上行周期

　　公开信息显示，存储芯片具体可分为两类：一是数据持久化存储（如NAND闪存，断电后数据不丢失），二是实时数据暂存（如DRAM，需持续供电，读写速度快）；其中，基于DRAM技术的高端品类HBM（高带宽内存），可满足AI计算、服务器等场景中“海量数据实时流转”的需求。

　　而由于全球三大存储巨头三星、海力士和美光将大量晶圆产能转向HBM和DDR5生产，这直接挤压了DDR4的产能空间，使得DDR4产量减少，市场上供不应求。

　　TrendForce集邦咨询7月发布的报告显示，由于三大厂转移产能，并宣布个人电脑、服务器用DDR4及手机用LPDDR4X进入产品生命周期末期，引发了市场对上一代产品积极备货，再加上正值存储行业旺季，现货市场供不应求。2025年第三季度DRAM合约价上涨10%至15%，第三季度涨价幅度达到40%至45%。

　　国泰君安证券也在近期发布的研报中也指出，存储行业已进入新一轮上行周期，服务器需求回暖叠加AI服务器放量，是本轮涨价的核心驱动力。报告特别强调，随着大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。

　　中信证券表示，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。