重磅，中钨高新 1纳米铋基芯片横空出世，超越台积电3纳米
铋基北大团队近日在《自然》发表的铋基芯片论文，彻底改写了行业逻辑。其埃米级环栅晶体管（1埃=0.1纳米）采用碲化铋材料，开关速度达太赫兹级别，且完全规避硅基量子隧穿效应，被业内视为“后摩尔定律时代最强破局者”。更关键的是，铋基芯片无需依赖EUV光刻机，这对受制于半导体设备封锁的中国而言，无异于打通“任督二脉”。
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