$深科技(SZ000021)$  HBM（高带宽存储器）存储芯片的封装过程中需要稀土材料，以下是具体分析：

一、稀土在HBM封装中的直接应用

1. 热管理材料

HBM芯片堆叠层数高达12层以上，功耗密度超过800W/cm，对散热性能提出极高要求。稀土基导热凝胶（如镧、钆与铪的复合钝化剂）被用于芯片与散热盖板之间的界面材料，可将热导率从传统材料的3W/(m·K)提升至6W/(m·K)，热阻降低至0.15℃·cm/W。这类材料通过配位键增强界面结合力，并抑制液态金属氧化，适配HBM3E等先进封装需求。

2. 焊料改性

在HBM的微凸块（Micro Bump）键合工艺中，稀土元素（如镧、铈）被添加到锡基焊料中，可显著提升润湿性、降低空洞率（至3%以下），并增强焊点在-40℃~150℃冷热循环中的稳定性 。例如，镧掺杂的铜镀层可减少电化学迁移风险，适用于高可靠性场景。不过，当前HBM主流工艺（如MR-MUF）正逐步转向无助焊剂键合，以避免助焊剂残留问题，稀土焊料的应用可能随之减少。

3. 封装基板增强

氮化铝（AlN）陶瓷基板是HBM的核心载体，稀土元素（如镝、钬）掺杂可将其热导率从200W/(m·K)提升至280W/(m·K)，同时抗弯强度增加30%。这种基板主要用于高功率密度的AI芯片封装，如英伟达H100的HBM模块。不过，目前全球70%的AlN基板市场仍由日本住友电木等企业主导，国产替代尚在推进中。

二、稀土在HBM制造设备中的间接应用

1. 光刻机与刻蚀机

光刻机的晶圆台、掩模台依赖稀土永磁体（如钕铁硼NdFeB）实现纳米级精度的高速运动。单台EUV光刻机需搭载数十公斤NdFeB磁钢，其高温稳定性通过掺入镝（Dy）、铽（Tb）调节居里温度。刻蚀机的射频天线盖片、束流环等部件则采用氧化钇（Y₂O₃）涂层，可耐受氟等离子体侵蚀，延长设备寿命数倍。

2. 检测与封装设备

HBM的TSV（硅通孔）刻蚀、微凸块检测等环节需要高精度设备。例如，赛腾股份的检测设备依赖稀土永磁电机实现微米级定位，而日本住友重工的TSV刻蚀机采用含稀土的陶瓷刀具，耐磨性提升50%。这些设备的性能直接影响HBM的封装良率（目前主流为99.5%）。

所以国家对稀土的严控对国内芯片制造和封装是重大利好！