半导体材料的代际更迭正推动电子信息技术进入新纪元。当第三代半导体（碳化硅、氮化镓）在新能源汽车、5G通信领域大放异彩时，一场围绕第四代超宽禁带半导体的全球竞赛已悄然展开。
第一代（硅 / 锗）1947 年，贝尔实验室的锗晶体管拉开序幕，奠定了微电子产业基础，我们熟悉的计算机芯片就源于此。
第二代（砷化镓/ 磷化铟）1950 年代，化合物半导体登场，高频性能卓越，成为通信产业的核心，手机信号传输全靠它。
第三代（碳化硅/ 氮化镓）1970 年代起，耐高压、耐高温的碳化硅和氮化镓崛起，推动新能源汽车、5G 基站等领域革新。$皇庭国际(SZ000056)$
第四代（氧化镓/ 金刚石 / 氮化铝）如今，禁带宽度超 4 eV 的 “超宽禁带” 材料登场，开启极端环境应用新纪元。$黄河旋风(SH600172)$
氧化镓、金刚石、氮化铝——这些禁带宽度超过4eV的材料，凭借其耐万伏高压、抗千度高温、抵强辐射的极限性能，成为6G通信、特高压电网、深紫外光刻等尖端领域的核心突破口。而在这场关乎未来科技主导权的博弈中，中国正加速突破技术封锁，力争实现从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。